Голяшов Владимир Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi$_2$Se$_3$(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  606–611
2. Фазовый переход $\beta\Longleftrightarrow\beta'$ с температурным гистерезисом в пленках In$_2$Se$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  370–375
3. Электронная структура янусовских слоев на основе Ti$_{1-y}$Cr$_y$(Se$_{1-x}$S$_x$)$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  365–369
4. Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  7–10
5. Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001)
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  6–9
6. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
7. Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  793–800
8. Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022),  315–321
9. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
10. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  1040–1044
11. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
12. Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  859–864
13. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
14. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
15. Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  569–575
16. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  500–503