|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Перенос фотоэлектронов через границу $p$-GaAs(Cs, O)–вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством
Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 227–232
-
Перенос электронов через границу полупроводник-вакуум с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы
Физика твердого тела, 65:8 (2023), 1271–1280
-
Пленение излучения и субзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии из $p$-GaAs(Cs,O)
Письма в ЖТФ, 49:1 (2023), 23–26
-
Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум
Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 180–184
-
Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум
Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 128–132
-
Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,O)
Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015), 414–418
-
Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 592–596
-
Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)
Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003), 197–201
© , 2026