Сресели Ольга Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
2. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
3. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
4. Влияние условий кристаллизации на спектральные характеристики тонких пленок тетрафенилпорфирина
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  55–58
5. Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1071–1075
6. Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925
7. Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
   
   Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  30–38
8. Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  507–511
9. Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  423–430
10. Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний–золото
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  453–458
11. Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1555–1561
12. Оптические постоянные тонких пленок наночастиц кремния, полученных методом лазерного электродиспергирования
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1376–1380
13. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405
14. Особенности слоев аморфного кремния, полученных методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы, содержащей четырехфтористый кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  312–315
15. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1636–1639
16. Оптические свойства нанопористого кремния, пассивированного железом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  669–673
17. Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001),  105–107
18. Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность
    
    ЖТФ, 61:6 (1991),  100–105
19. Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники (обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1281–1296
20. Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  72–75
21. Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1966–1970
22. Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  461–465
23. Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  906–910
24. Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник с гофрированной поверхностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  757–760
25. Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  693–697
26. Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации
    
    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  261–265
27. Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880
28. Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1145–1149
29. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
30. Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1162–1165
31. Исследование оптических переходов в полупроводниках фотоэлектрохимическим методом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  752–755
32. Запись голограмм на металле методом фотохимического травления
    
    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  471–474