|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Photoluminescence and photoconductivity of lead halide perovskite films modified with mixed cellulose esters
ЖТФ, 91:6 (2021), 987
-
Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1547–1556
-
Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1140
-
Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 24–27
-
Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)
Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1137–1144
-
Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$
Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2457–2461
-
Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 105–110
-
Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля
Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1818–1825
-
Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548
-
Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена
Физика твердого тела, 57:8 (2015), 1639–1644
-
Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm
ЖТФ, 85:9 (2015), 97–104
-
Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 418–420
-
Температурная и концентрационная зависимости фотолюминесценции композитных пленок MEH-PPV с наночастицами ZnO
Физика твердого тела, 56:2 (2014), 399–405
-
Люминесценция аморфных нанокластеров кремния
Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 402–405
-
Комплексное исследование условий получения гидрированных аморфных пленок субоксида кремния, легированного эрбием и кислородом, $a$-SiO$_x$:H$\langle$Er,O$\rangle$, с помощью dc-магнетрона
Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011), 1667–1677
-
Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 445–451
-
Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)
Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328
© , 2026