RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Трапезникова Ирина Николаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Photoluminescence and photoconductivity of lead halide perovskite films modified with mixed cellulose esters

    ЖТФ, 91:6 (2021),  987
  2. Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1547–1556
  3. Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1140
  4. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
  5. Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1137–1144
  6. Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$

    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2457–2461
  7. Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  105–110
  8. Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля

    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1818–1825
  9. Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе

    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  538–548
  10. Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена

    Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1639–1644
  11. Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm

    ЖТФ, 85:9 (2015),  97–104
  12. Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  418–420
  13. Температурная и концентрационная зависимости фотолюминесценции композитных пленок MEH-PPV с наночастицами ZnO

    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  399–405
  14. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния

    Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405
  15. Комплексное исследование условий получения гидрированных аморфных пленок субоксида кремния, легированного эрбием и кислородом, $a$-SiO$_x$:H$\langle$Er,O$\rangle$, с помощью dc-магнетрона

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1667–1677
  16. Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  445–451
  17. Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)

    Физика твердого тела, 34:1 (1992),  326–328


© МИАН, 2026