Смагина Жанна Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
2. Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  614–619
3. Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  55–59
4. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  238–241
5. Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  414–420
6. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
7. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
8. Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  748–752
9. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
10. Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728
11. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
12. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
13. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350
14. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
15. Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015),  120–124
16. Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015),  24–28
17. Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  767–771
18. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415
19. Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001),  296–299