Санкин Владимир Ильич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Расчет терагерцевого лазера в режиме блоховских осцилляций
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  67–74
2. Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  249–253
3. Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  393–396
4. Новые эффекты ванье-штарковской локализации в естественной сверхрешетке 6Н-SiC
   
   Письма в ЖЭТФ, 77:1 (2003),  38–42
5. Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1008–1014
6. Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1209–1216
7. Эффект Ванье$-$Штарка. Природа отрицательного дифференциального сопротивления в 4H- и 6H-карбиде кремния
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  38–42
8. Эффект Ванье$-$Штарка и отрицательное дифференциальное сопротивление в карбиде кремния
   
   Письма в ЖТФ, 16:7 (1990),  91–95
9. Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1009–1014
10. Инжекционно-пролетная структура на основе карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  43–46
11. Влияние термического отжига на свойства барьеров Шоттки Cr-SiC $n$- и $p$-типа электропроводности
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1692–1695
12. Поверхностно-барьерный диод Cr$-$SiC-фотодетектор УФ-излучения
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1742–1746
13. $P^{+}-\pi-N^{+}$-структуры на основе карбида кремния с двойной инжекцией
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1247–1251
14. Расслоение горячей электронно-дырочной плазмы в $\alpha$–$Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  819–823
15. Ударная ионизация в политипах карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  814–818
16. Влияние протонного облучения на электрические свойства карбида кремния
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1622–1624
17. Исследование шума лавинного фотодиода на основе $6H$-карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2146–2149
18. Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале с естественной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 10:5 (1984),  303–306
19. Влияние вакансии на формирование поверхностных барьеров политипов SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1757–1760
20. Ударная ионизация и сверхрешетка в $6H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1093–1098