Поклонский Николай Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Накопление и релаксация зарядов в приборных структурах Al/Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/$n$-Si в активном режиме
   
   ЖТФ, 95:11 (2025),  2221–2228
2. Аналитическое описание прыжковой электропроводности компенсированных полупроводников и расчеты на примере $p$-Ge : Ga
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  838–848
3. Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поля
   
   Физика твердого тела, 64:3 (2022),  359–364
4. Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1046–1054
5. Spatial and hyperfine characteristics of SiV$^-$ and SiV$^0$ color centers in diamond: DFT simulation
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1391
6. Quantum chemical calculations of carbon nanoscroll energy rolled from zigzag graphene nanoribbon
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1389
7. Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  544–553
8. Энергетические характеристики и структура углеродных нанорулонов
   
   Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  55–63
9. Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  738–750
10. Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  302–312
11. Импеданс композитов Si/SiO$_2$ в окрестности порога протекания
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  433–437
12. Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов
    
    ЖТФ, 80:10 (2010),  74–82
13. Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  397–401
14. Инвертированный сигнал ЭПР содержащих азот дефектов в монокристалле синтетического алмаза при комнатной температуре
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:12 (2004),  880–883