RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Денисов Дмитрий Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  489–493
  2. Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1344–1346
  3. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  950–954
  4. Единая модель псевдощелевых особенностей проводимости в ВТСП

    Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004),  277–283


© МИАН, 2026