Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 489–493
-
Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1344–1346
-
Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием
Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 950–954
-
Единая модель псевдощелевых особенностей проводимости в ВТСП
Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004), 277–283
© , 2026