|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506
-
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962
-
Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 905–910
-
Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока
ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84
-
Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As$_2$Se$_3$:Bi, полученных двумя различными методами
Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1319–1321
-
Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Обзор
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 577–608
-
Термоиндуцированная дефектная фотолюминесценция гидрогенизированного аморфного кремния
Физика твердого тела, 53:2 (2011), 240–246
-
Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 79–81
-
Единая модель псевдощелевых особенностей проводимости в ВТСП
Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004), 277–283
© , 2026