Родякина Екатерина Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
2. Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  614–619
3. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  238–241
4. Соизмеримые осцилляции и положительное магнетосопротивление в двухподзонной квазидвумерной электронной системе с периодической латеральной модуляцией
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  89–92
5. Особенности микроволнового фотокондактанса квантового точечного контакта
   
   Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1842–1847
6. Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  414–420
7. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
8. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
9. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
10. Магнето-межподзонные осцилляции в условиях перекрывающихся зон Ландау
    
    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  621–627
11. СВЧ-отклик квантового точечного контакта
    
    Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021),  108–113
12. Фотонно-стимулированный транспорт в квантовом точечном контакте (Миниобзор)
    
    Письма в ЖЭТФ, 113:5 (2021),  328–340
13. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
14. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
15. Индуцированное микроволновым излучением магнето-межподзонное рассеяние в квадратной решетке антиточек
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  671–676
16. Модуляция магнето-межподзонных осцилляций в одномерной латеральной сверхрешетке
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  337–342
17. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
18. Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  805–809
19. Туннелирование Зинера между уровнями Ландау в двумерной электронной системе с одномерной периодической модуляцией
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:2 (2018),  108–113
20. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350
21. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
22. Нулевое дифференциальное сопротивление двумерного электронного газа в одномерном периодическом потенциале при больших факторах заполнения
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  258–263
23. Интерференция соизмеримых и индуцированных микроволновым излучением осцилляций магнетосопротивления двумерного электронного газа в одномерной латеральной сверхрешетке
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:10 (2015),  781–786
24. Микроволновый отклик баллистической квантовой точки
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013),  806–810
25. Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  151–156