Онищенко Евгений Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Тонкая структура перехода $^3$T$_1$($^3$H) $\to$ $^5$E($^5$D) иона Fe$^{2+}$ в селениде цинка
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:5 (2023),  350–355
2. Низкотемпературная фотолюминесценция монослоя WSe$_2$, полученного механическим слоением с использованием золота
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  335–339
3. Нестандартные особенности взаимодействия одиночных люминесцентных центров, сформированных ядрами частичных дислокаций в CdTe и ZnSe, с продольными оптическими фононами
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021),  96–101
4. Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$Si квантовых ямах
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  529–536
5. Нестандартная кинетика низкотемпературной люминесценции микро- и нанопорошков антазной фазы диоксида титана
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  501–507
6. Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1632–1640
7. Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации
   
   Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  371–377
8. Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения
   
   Физика твердого тела, 58:5 (2016),  950–960
9. Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  229–234
10. Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016),  161–166
11. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
12. Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  700–705
13. Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  9–16
14. Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках с непрямым краем собственного поглощения
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:5 (2014),  343–348
15. Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  308–314
16. Исследования комплексных акцепторов в CdTe:Cl методом разностной спектроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013),  504–507
17. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  63–67
18. Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  908–915
19. Аномальное влияние фононного ветра на латеральную миграцию экситонов в ультратонкой квантовой яме CdTe/ZnTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:8 (2001),  451–455