Кривобок Владимир Святославович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Когерентные фононы субтерагерцового диапазона частот в InAs/GaSb сверхрешетках
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:12 (2025),  828–834
2. Метастабильные состояния электронной подсистемы гетероструктур GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As с квантовыми ямами, применяемых для создания детекторов дальнего инфракрасного диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  54–57
3. Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  354–358
4. Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb
   
   Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  33–35
5. Влияние эффектов электронного конфайнмента на ширину запрещенной зоны почти моноатомных слоев EuS$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023),  263–269
6. Тонкая структура перехода $^3$T$_1$($^3$H) $\to$ $^5$E($^5$D) иона Fe$^{2+}$ в селениде цинка
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:5 (2023),  350–355
7. Низкотемпературная фотолюминесценция монослоя WSe$_2$, полученного механическим слоением с использованием золота
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  335–339
8. Нестандартные особенности взаимодействия одиночных люминесцентных центров, сформированных ядрами частичных дислокаций в CdTe и ZnSe, с продольными оптическими фононами
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021),  96–101
9. Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах железа в селениде цинка
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  304–307
10. Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  33–36
11. Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$Si квантовых ямах
    
    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  529–536
12. Нестандартная кинетика низкотемпературной люминесценции микро- и нанопорошков антазной фазы диоксида титана
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  501–507
13. Антистоксова люминесценция объемного $\beta$-InSe и его тонких пленок при оптическом ИК-возбуждении
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020),  160–164
14. Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  3–6
15. Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1632–1640
16. Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации
    
    Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  371–377
17. Isotopic effects in impurity-vacancy complexes in diamond
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  52–54
18. Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах тантала в теллуриде кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1579–1583
19. Оптические и фотоэлектрические свойства мультихромных J-агрегатов цианиновых красителей
    
    Квантовая электроника, 48:9 (2018),  856–866
20. Гиперзвуковые волны на поверхности кристаллического CdZnTe: роль ориентации поверхности и рассеяние на границах двойников
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017),  485–490
21. Нагрев и испарение двумерной электронно-дырочной жидкости под действием тепловых импульсов
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:3 (2017),  164–169
22. Излучательные $d$–$d$-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  335–338
23. Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  950–960
24. Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  229–234
25. Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016),  161–166
26. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
27. Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  700–705
28. Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  9–16
29. Структурные и оптические свойства метастабильных пленок SiGe/Si с низким содержанием германия
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1896–1905
30. Фотоиндуцированное перераспределение заряда и его влияние на экситонные состояния в гетероструктурах Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами
    
    Физика твердого тела, 56:4 (2014),  769–778
31. Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках с непрямым краем собственного поглощения
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:5 (2014),  343–348
32. Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  308–314
33. Исследования комплексных акцепторов в CdTe:Cl методом разностной спектроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013),  504–507
34. Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe : Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  538–545
35. Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях
    
    Физика твердого тела, 53:8 (2011),  1479–1487
36. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  63–67
37. Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  908–915
38. Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe
    
    Физика твердого тела, 52:1 (2010),  37–42