|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1150–1157
-
Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 906–912
-
Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 822–829
-
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715
-
Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge
Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017), 555–560
-
Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением
ЖТФ, 85:3 (2015), 124–128
-
Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1499–1502
-
Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1440–1443
-
Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре
с квантовыми ямами
Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011), 890–894
-
Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011), 437–441
© , 2026