Курицын Дмитрий Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
2. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
3. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
4. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
5. Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  9–15
6. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591
7. Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением
   
   ЖТФ, 85:3 (2015),  124–128
8. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502
9. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
10. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
11. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
12. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894
13. Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441