Крыжков Денис Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724
2. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
3. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
4. Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631
5. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502
6. Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1517–1520
7. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния
   
   ЖТФ, 82:12 (2012),  63–66
8. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
9. Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439
10. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
11. Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1398–1401
12. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
13. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894
14. Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441
15. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522