|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1401–1404
-
Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1482–1485
-
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1720–1724
-
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1455–1458
-
Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением
ЖТФ, 85:3 (2015), 124–128
-
Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1499–1502
-
Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1440–1443
-
Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1402–1407
-
Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре
с квантовыми ямами
Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011), 890–894
-
Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011), 437–441
© , 2026