Гавриленко Людмила Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47
2. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
3. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
4. Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1498–1502
5. Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724
6. Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением
   
   ЖТФ, 85:3 (2015),  124–128
7. Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах
   
   Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014),  824–826
8. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
9. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894
10. Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441
11. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532
12. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
13. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446