Александров Петр Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование механических свойств сильно неоднородных систем под внешним воздействием
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1059–1066
2. Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1128–1132
3. Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1124–1128
4. Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  264–266
5. Измерение скорости света, испущенного ультрарелятивистским источником
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  374–376
6. Эксперименты по прямой демонстрации независимости скорости света от скорости движения источника (демонстрация справедливости второго постулата специальной теории относительности Эйнштейна)
   
   УФН, 181:12 (2011),  1345–1351
7. Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1433–1435
8. Исследование влияния низкотемпературного отжига на параметры структуры ювенильных поверхностей монокристаллов CsDSO$_{4}$ и CsH$_{2}$PO$_{4}$ методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
   
   Физика твердого тела, 33:12 (1991),  3529–3534
9. Рентгенодифракционное исследование структуры границы Si$-$NaNO$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2221–2222
10. Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1132–1133
11. Синтез аморфной пленки Si$_{3}$N$_{4}$ в процессе имплантации ионов азота в кремний
    
    Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  43–45
12. Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы ионно-синтезированного SiC в Si
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  731–732
13. Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  920–922
14. Структура приповерхностного слоя монокристалла после ионно-химического травления
    
    Докл. АН СССР, 289:5 (1986),  1120–1123
15. Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  149–152
16. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия в скользящей геометрии Брэгг–Лауэ
    
    Докл. АН СССР, 281:3 (1985),  581–584
17. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия в скользящей Брэгг–Лауэ геометрии с перпендикулярной разверткой
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2274–2281
18. Дифракция мёссбауэровского излучения в условиях полного внешнего отражения
    
    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1003–1007