Черков Александр Глебович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1589–1596
2. Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO$_{2}$ в условиях ионного синтеза под высоким давлением
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1414–1419
3. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1289–1294
4. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1228–1233
5. Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  591–597
6. Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  334–339
7. Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  665–668
8. Влияние состава слоев SiO$_x$ на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  419–424
9. Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO$_2$ при облучении быстрыми тяжелыми ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  544–549
10. Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  302–305
11. Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007),  128–131