Соболев Н А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Метод обеспечения отказоустойчивости в резервированных управляющих вычислительных системах
   
   Автомат. и телемех., 2000, № 2,  172–182
2. Механизмы операционных систем, обеспечивающие отказоустойчивость в управляющих многомашинных вычислительных системах
   
   Автомат. и телемех., 1995, № 8,  3–63
3. Метод локализации “дружественных” и “враждебных” неисправностей
   
   Автомат. и телемех., 1992, № 5,  126–138
4. Исследование кремния методами диффузного рассеяния гамма и рентгеновских лучей
   
   Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2548–2554
5. Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при термообработке
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1938–1944
6. Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими уровнями
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1324–1331
7. Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  807–812
8. Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в $n$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2034–2036
9. Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1785–1789
10. Высоковольтные лавинные диодные структуры большой площади
    
    ЖТФ, 59:10 (1989),  154–156
11. Энергетические уровни в CuInS$_{2}$, связанные с собственными дефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1696–1699
12. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1581–1583
13. О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1173–1176
14. Уровни дефектов термообработки в кремнии под гидростатическим давлением
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  719–722
15. Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1850–1852
16. Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой $p{-}n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  536–538
17. Генерация решеточных дефектов при термообработке кремния в хлорсодержащей атмосфере
    
    Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  1929–1933
18. Импульсный отжиг ядерно легированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1968–1973
19. Механизмы протекания тока в структурах $n$-Si${-}p^{+}$-SiGe
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1669–1672
20. Временной статистический анализ процессов генерации импульсов в высоковольтных микроплазмах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  133–136
21. Подавление свирл-дефектов при термообработке пластин бестигельного кремния в хлорсодержащей атмосфере
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1457–1459
22. Влияние среды отжига на свойства радиационно-легированного кремния (РЛК)
    
    Письма в ЖТФ, 10:11 (1984),  645–649