Неволин Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние химического состава и локальной атомной упаковки твердосмазочных нанопокрытий MoS$_{x}$ и MoSe$_{x}$ на их трибологические свойства в осложненных условиях
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  36–39
2. Влияние локальной атомной упаковки тонких пленок MoS$_{x}$ на их электрокаталитические свойства при восстановлении водорода
   
   Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  93–101
3. Оптические и структурные свойства тонких пленок Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$, полученных методом импульсного лазерного осаждения в атмосфере H$_{2}$S с последующим отжигом в N$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  557–562
4. Действие водорода на электрофизические характеристики структурных элементов тонкопленочной системы Pt/WO$_x$/6H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1262–1272
5. Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WO$_x$/SiC
   
   Письма в ЖТФ, 41:17 (2015),  18–26
6. Модифицирование химического состава, морфологии и антиотражающих свойств пленок WSe$_x$, формируемых импульсным лазерным осаждением
   
   Письма в ЖТФ, 40:18 (2014),  38–46
7. Изменение магнитных свойств поликристаллического тонкопленочного магнетита при введении подслоя железа
   
   Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1084–1089
8. Влияние условий импульсного лазерного осаждения на трибологические свойства тонкопленочных наноструктурированных покрытий на основе диселенида молибдена и углерода
   
   ЖТФ, 82:4 (2012),  90–98
9. О механизме формирования химического состава тонкопленочных слоев из дихалькогенидов переходных металлов при импульсном лазерном осаждении
   
   ЖТФ, 80:10 (2010),  120–128
10. Фотодефлекционная спектроскопия ионно-имплантированного кремния
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1274–1278
11. Исследование структур поверхностных сплавов хрома с оловом, сформированных методами ионного и лазерного легирования
    
    ЖТФ, 55:2 (1985),  431–434
12. Формирование ионных пучков с высокой фазовой плотностью тока из нестационарной плазмы применительно к созданию ионных источников
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1628–1631
13. Имплантация легирующих примесей в InSb с помощью лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 11:11 (1984),  2172–2176