Красильникова Людмила Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
2. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
3. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
4. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
5. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
6. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268
7. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
8. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния
   
   ЖТФ, 82:12 (2012),  63–66
9. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522
10. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617