Шенгуров Владимир Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  719–724
2. Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  5–8
3. Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на $n^+$-Si(001)-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  839–843
4. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
5. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
6. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
7. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
8. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
9. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
10. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
11. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
12. Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1267–1270
13. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
14. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  505
15. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  563–568
16. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
17. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
18. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
19. Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  94–101
20. Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4,  93–100
21. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414
22. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  399–405
23. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 41:1 (2015),  71–78
24. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
25. Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника
    
    ЖТФ, 84:11 (2014),  155–158
26. Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420
27. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413
28. Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  414–418
29. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с $p$–$n$-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  87–92
30. Легирование бором гетероструктур Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si в процессе сублимации кремния в среде германа
    
    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  24–30
31. Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1552–1558
32. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532
33. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617