Степихова Маргарита Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  614–619
2. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  238–241
3. Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  414–420
4. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
5. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
6. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
7. Излучательные свойства ап-конверсионных покрытий, формируемых на основе ксерогелей титаната бария, легированных эрбием
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  713–718
8. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157
9. Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829
10. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
11. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
12. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
13. Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  367–371
14. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
15. Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1133–1137
16. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
17. Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420
18. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413
19. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
20. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532
21. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617