Котельников Игорь Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012),  646–650
2. Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя
   
   Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005),  574–577
3. Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением
   
   Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004),  489–492
4. Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы $n$-GaAs/Me
   
   Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001),  643–648
5. Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования
   
   Докл. РАН, 332:5 (1993),  575–577
6. Характеристика и особенности проводимости приповерхностных $\delta$-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1462–1470
7. Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  635–637
8. Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового излучения
   
   Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  8–10
9. Определение параметров области изгиба зон в переходах $n$-GaAs/металл по туннельным вольтамперным характеристикам
   
   Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1854–1862
10. Анализ чувствительности диодов с барьером Шоттки к инфракрасному излучению
    
    ЖТФ, 56:11 (1986),  2199–2209
11. Туннелирование в переходах металл–полупроводник с самосогласованным барьером Шоттки. Теория и эксперимент на $n$-GaAs/Au
    
    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  401–415