Гуткин Андрей Абрамович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Комплексы вакансия галлия – мелкий донор в $n$-$\mathrm{GaAs}$, легированном элементами $\mathrm{VI}$ группы $\mathrm{Te}$ или $\mathrm{S}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1021–1045
2. Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  134–137
3. Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1424–1426
4. 
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1164
5. Акцепторный центр Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs (Обзор)
   
   Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2275–2305
6. Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной $d$-оболочкой. Обзор
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1299–1324
7. Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1083–1087
8. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1186–1191
9. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
10. Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  921–926
11. Электронные состояния на границах раздела электролит/$n$-GaN и электролит/$n$-InGaN
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  775–778
12. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
13. Вольт-фарадные характеристики системы электролит–$n$-InN и электронные состояния на границе раздела
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1053–1058
14. Симметрия комплекса $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$ в GaAs и его переориентация при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1269–1281
15. Фотолюминесценция, связанная с центрами Au$_{\text{Ga}}$ в GaAs : Au
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  508–512
16. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676
17. Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]
    
    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465
18. Влияние обменного взаимодействия дырки с $3d$-электронами на свойства глубокого акцептора Mn в арсениде галлия
    
    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  765–774
19. Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2959–2963