Гаджиалиев Магомед Магомедович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности поведения электро- и магнитосопротивления Cd$_{3}$As$_{2}$–30 mol.% MnAs при высоких давлениях
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1146–1150
2. Спин-поляризованный электрический ток в нанокомпозите Cd$_{48.6}$Mn$_{11.4}$As$_{40}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  427–432
3. Намагниченность композита Cd$_{3}$As$_{2}$ + (30%)MnAs при высоком давлении
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1674–1677
4. Влияние высокого давления на электрические и гальваномагнитные свойства композита Cd$_{3}$As$_{2}$–20 mol.% MnAs
   
   Физика твердого тела, 62:6 (2020),  834–838
5. Синтез и исследование электрических свойств диарсенида трикадмия с наногранулами MnAs
   
   ЖТФ, 90:7 (2020),  1128–1131
6. Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu–SiO$_{2}$–$p$-InSb
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  383–385
7. Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1075–1076
8. Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  904–905
9. Температурная и магнетополевая зависимости термоэдс электронного антимонида индия
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1169–1170
10. О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках $n$-InSb и $n$-CdSnAs$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  865–867
11. Термостимулированный переход между примесной и собственной проводимостями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  48–49
12. Исследование гетероперехода $p$-Ge–$n$-GaAs при всестороннем давлении
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1222–1223
13. Магнитотермоэдс Mn$_{0.06}$Hg$_{0.94}$ при одноосной деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1952–1954
14. Магнитотермоэдс Mn$_{0.18}$Hg$_{0.82}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  915–917
15. Новый класс полупроводниковых диодов
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  953–954


16. Ибрагимхан Камилович Камилов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:1 (2016),  107–108