RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Наумов Виктор Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оптическая ширина запрещенной зоны литированного композита Si@O@Al

    Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  33–36
  2. Наноструктурирование поверхности эпитаксиальных пленок Bi$_2$Te$_3$ при ионно-плазменной обработке

    Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1408–1416
  3. Изменения текстуры и удельного сопротивления пленок Ti под действием ионной бомбардировки

    ЖТФ, 93:10 (2023),  1509–1519
  4. Определение зонной структуры и проводимости нанокомпозита Si@O@Al

    ЖТФ, 93:10 (2023),  1447–1458
  5. Влияние варисторного эффекта и контактных явлений на характеристики твердотельных литий-ионных аккумуляторов с полупроводниковыми электродами

    ЖТФ, 93:9 (2023),  1329–1339
  6. Удельное сопротивление тонкопленочных электродов Si@O@Al и LiCoO$_2$

    Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  8–12
  7. Импеданс тонкопленочного литий-ионного аккумулятора Si@O@Al|LiPON|LiCoO$_2$ в диапазоне температур от -20 до +50$^\circ$С

    Письма в ЖТФ, 49:7 (2023),  20–23
  8. Особенности вольт-амперной характеристики перехода Ti–Si@O@Al

    Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  9–12
  9. Барьер Шоттки в структурах Si–M твердотельных литий-ионных аккумуляторов

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  32–35
  10. Формирование текстуры (100) в тонких пленках Ti под действием низкоэнергетической ионной бомбардировки

    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  35–39
  11. Влияние толщины пленки Pt на изменение текстуры и доли кристаллической фазы при ее отжиге

    ЖТФ, 90:5 (2020),  795–804
  12. Влияние диффузионных барьеров на емкостные свойства композитных анодов состава Si–CuSi–Cu

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  3–6
  13. Твердотельный литий-ионный аккумулятор: структура, технология и характеристики

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  15–18
  14. Формирование нанопористых пленок силицидов меди

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  418–422
  15. Структурные изменения в пленках Si–CuSi при интеркаляции ионов лития

    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  17–20
  16. Влияние толщины пленки Pt на процессы роста зерен при ее отжиге

    ЖТФ, 88:6 (2018),  926–933
  17. Формирование полых свинцовых структур на поверхности пленок PbSe при обработке в аргоновой плазме

    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  32–38
  18. Влияние постоянного магнитного поля на формирование силицидных фаз в структуре Cu/Si(100) при изотермическом отжиге

    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  844–849
  19. Экспериментальное исследование тонких пленок твердого электролита фосфор-оксинитрида лития

    Письма в ЖТФ, 43:11 (2017),  3–11
  20. Изменение проводимости тонких пленок селенида свинца после плазменного травления

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1146–1150
  21. Формирование затворных структур типа W/HfO$_2$/Si магнетронным распылением in situ и быстрым термическим отжигом

    ЖТФ, 84:5 (2014),  82–87
  22. Эффект магнитомиграции при отжиге гранулированных пленок Co–Cu

    Письма в ЖТФ, 40:4 (2014),  9–15
  23. Эффект магнитомиграции в гранулированных пленках Co–Cu, осаждаемых ионно-плазменным методом

    Письма в ЖТФ, 39:12 (2013),  35–43
  24. Влияние энергии ионов на морфологию поверхности пленки платины при высокочастотном ионно-плазменном распылении

    Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  68–75
  25. Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии

    ЖТФ, 82:2 (2012),  122–128
  26. Формирование нанопроволок селенида свинца по механизму "пар–жидкость–кристалл" под накладной маской при плазменной обработке

    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  80–87
  27. Особенности формирования CoSi$_2$ при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si(100)

    Письма в ЖТФ, 37:3 (2011),  36–44


© МИАН, 2026