RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Стафеев Виталий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора). Обзор

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  577–583
  2. Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $p$-типа проводимости

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1830–1832
  3. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$S и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  510–515
  4. О влиянии индия на энергетический спектр Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  257–263
  5. Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ при различных уровнях фоновых засветок

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1752–1756
  6. Влияние нейтронного облучения на сверхпроводящие пленки Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$

    Письма в ЖТФ, 16:18 (1990),  18–22
  7. Поверхностная подвижность электронов в МПД структурах из Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $p$-типа

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  189–192
  8. Полевой транзистор со структурой МТДП на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1142–1144
  9. Статические характеристики МДП транзисторов на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  62–65
  10. Мощность стимулированного излучения горячих дырок в $p$-Ge в ${ E\perpH}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1707–1710
  11. Механизм межзонной инверсии населенности состояний горячих дырок в германии в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1600–1605
  12. Исследование диффузии меди в монокристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1469–1471
  13. Длинноволновое стимулированное излучение из дырочного германия в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1271–1277
  14. Термоэлектрические явления в диэлектрических средах вблизи фазового перехода

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  730–733
  15. Внутризонная инверсия населенности горячих тяжелых дырок в Ge в $\mathrm{E}\perp\mathrm{H}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  577–579
  16. Собственная электропроводность диэлектрических жидкостей

    ЖТФ, 56:9 (1986),  1769–1774
  17. Некоторые свойства диодов на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи температуры жидкого гелия

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2198–2201
  18. Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1176–1181
  19. Функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных E и H полях

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  708–714
  20. Поглощение света горячими дырками в германии в скрещенных E и H полях

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  62–69
  21. Спектральная зависимость индуцированной током анизотропии показателя преломления на горячих электронах в $n$-InSb

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  565–567
  22. Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления $n$-InSb с учетом межзонных переходов

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  513–518
  23. Фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  327–329
  24. Эксперименты по кристаллизации твердых растворов $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ в условиях невесомости на борту орбитальной станции “Салют-6”

    Докл. АН СССР, 273:6 (1983),  1380–1382
  25. Спектры оптического поглощения и фотопроводимость эпитаксиальных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1864–1866
  26. Локализация электронов в магнитном поле в $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1392–1396
  27. Эффект Шубникова–де-Гааза у сплава Hg$_{0.96}$Cd$_{0.04}$Te $n$-типа под давлением

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1009–1015
  28. Влияние междырочных столкновений на модуляцию света и функцию распределения теплых дырок в германии

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  796–802
  29. Исследование ударной ионизации в собственном InSb по модуляции света

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  129–133
  30. Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb1–xSnxTe с градиентом состава в плоскости роста

    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1486–1488
  31. Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$

    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2218–2221

© МИАН, 2026