Саидов М С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Development of ceramic coatings and application of their infrared radiation
   
   Comp. nanotechnol., 2016, № 4,  6–9
2. Особенности синтеза функциональной керамики с комплексом заданных свойств радиационным методом. Часть 5. Механизм генерации импульсов функциональной керамикой
   
   Comp. nanotechnol., 2016, № 2,  81–93
3. Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) и некоторые электрофизические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  557–560
4. Выращивание пленок твердого раствора (GaAs)$_{1-x}$(ZnSe)$_x$ и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
   
   Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1910–1919
5. Выращивание пленок (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$ на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  970–977
6. Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  525–531
7. О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электронном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  570–573
8. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния II.  Гальваномагнитные свойства и неоднородности
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2052–2060
9. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния I.  Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2042–2051
10. Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов кремний–германий
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  745–747
11. Влияние кристаллографической полярности граней карбида кремния на характеристики сплавных диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1476–1478
12. Нейтронное легирование сплава Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в области составов со стороны кремния
    
    Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  495–498
13. О состоянии центров никеля в GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2205–2208
14. О механизме фотопроводимости фосфида галлия, компенсированного никелем
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  529–530
15. К вопросу о совместном распределении примесей в полупроводниках
    
    УФН, 105:4 (1971),  752–753