Юферев Валентин Степанович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсные характеристики однопереходных и трёхпереходных фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1145–1149
2. Преобразование субнаносекундных лазерных импульсов в электрический ток многопереходными фотопреобразователями: роль туннельных диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  392–396
3. Мемристорный эффект в композитной пленке PZT:TiO$_x$
   
   Письма в ЖТФ, 51:12 (2025),  38–42
4. Генерация СВЧ-импульсов монолитными трехпереходными AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ фотопреобразователями и модулями без обратного смещения
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  27–30
5. Проблема неединственности преобразования лазерного излучения в электрический ток в многопереходных монолитных фотопреобразователях
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  565–568
6. О возможной неединственности преобразования лазерного излучения в электрический ток в многопереходных монолитных фотопреобразователях
   
   Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  39–42
7. Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи
   
   Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  21–25
8. Сравнение характеристик тонких пленок PZT на подложках из сапфира и кремния
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1076–1083
9. Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483
10. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
11. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
12. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
13. Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248
14. Исследование поляризационной зависимости переходного тока в поликристаллических и эпитаксиальных тонких пленках Pb(Zr,Ti)O$_3$
    
    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2366–2375
15. Экспериментальное исследование величины встроенного поля в межзеренных каналах тонких сегнетоэлектрических пленок Pb(Zr,Ti)O$_3$
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  485–488
16. Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1071–1077
17. Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  118–123
18. Микроскопия сопротивления растекания поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрических пленок
    
    Физика твердого тела, 54:5 (2012),  944–946
19. Выращивание кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ большого диаметра (85 mm)
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  74–80
20. Численное решение задач радиационного теплопереноса в трехмерных областях нерегулярной формы с зеркальными (френелевскими) границами
    
    ТВТ, 44:4 (2006),  568–576
21. Обобщение дифференциального приближения для расчета радиационно-кондуктивного теплообмена в прямоугольной области с прозрачными зеркально отражающими границами
    
    ТВТ, 33:6 (1995),  961–966
22. Радиационный теплообмен в зазоре между параллельными соосными плоскими кольцами. Вывод приближенных полуэмпирических формул
    
    ТВТ, 31:2 (1993),  262–266
23. Математическая модель мультискана.
    
    ЖТФ, 62:10 (1992),  126–137
24. Влияние скин-эффекта в рельсотронном ускорителе на параметры движущегося плазменного поршня
    
    ЖТФ, 62:1 (1992),  83–91
25. Диффузия электромагнитного поля в системах цилиндрических параллельных проводников произвольной формы при протекании коротких импульсов тока
    
    ЖТФ, 61:11 (1991),  23–31
26. Высокотемпературная стадия теплового пробоя полупроводников
    
    ЖТФ, 61:6 (1991),  76–82
27. Влияние анизотропии коэффициента преломления на процессы переноса тепла в прозрачных кристаллах
    
    ТВТ, 27:6 (1989),  1167–1173
28. Оптические температурные автоволны в полупроводниках
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1070–1076
29. Медленное неизотермпческое течение вязкого газа между двумя коаксиальными дисками
    
    Прикл. мех. техн. физ., 28:2 (1987),  40–43
30. Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366
31. Нестационарный режим плавления и рекристаллизации при комбинированном лазерном воздействии на полупроводники
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2178–2182
32. Быстрые ионизационные волны в полупроводнике, связанные с переизлучением
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1335–1337
33. Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1791–1795
34. Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  878–884
35. Решение задачи Стефана для кристаллов, вытягиваемых из расплава, с горизонтальной гранью на поверхности раздела фаз
    
    ЖТФ, 54:9 (1984),  1685–1693
36. Квазистационарный режим плавления при комбинированном лазерном воздействии на полупроводниковые материалы
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1832–1835
37. Исследование фотонно-диффузионного переноса носителей заряда в прямозонных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  850–855
38. Расчет каскадных солнечных элементов на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$
    
    ЖТФ, 53:10 (1983),  2025–2031
39. Арсенид-галлиевые транзисторы
    
    ЖТФ, 53:4 (1983),  763–765
40. Исследование комплементарных $p{-}n{-}p$ и $n{-}p{-}n$ каскадных солнечных элементов
    
    ЖТФ, 53:2 (1983),  320–324
41. Исследование процесса переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на ЭВМ
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1812–1816
42. Разностные аппроксимации производных и полиномиальные сплайны
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 22:5 (1982),  1241–1245
43. Радиационный-кондуктивный теплообмен в тонкой полупрозрачной пластине в световодном приближении при зависимости коэффициента поглощения от температуры и частоты
    
    Прикл. мех. техн. физ., 22:1 (1981),  98–103
44. Локальная аппроксимация кубическими сплайнами
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 21:1 (1981),  5–10
45. Радиационно-кондуктивный теплообмен в тонком полупрозрачном цилиндре в световодном приближении
    
    Прикл. мех. техн. физ., 20:4 (1979),  31–36
46. Бикубическая сплайн-интерполяция в полярных координатах
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 18:6 (1978),  1600–1602
47. Применение сплайнов для аппроксимации разрывных решений обыкновенных дифференциальных уравнений
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 17:4 (1977),  1053–1058