Имамов Эркин Зуннунович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Study of electrophysical properties of a solar cell with nano-hetera junctions on a non-crystalline silicon substrate
   
   Comp. nanotechnol., 12:3 (2025),  191–202
2. Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures
   
   Comp. nanotechnol., 10:4 (2023),  110–121
3. Factors of efficient generation of electricity in a solar cell with nanohetero junctions
   
   Comp. nanotechnol., 10:1 (2023),  119–127
4. Моделирование электрических свойств солнечного элемента с многими наногетеро-переходами
   
   Comp. nanotechnol., 9:4 (2022),  70–77
5. Анализ эффективности солнечного элемента с наноразмерными гетеропереходами
   
   Comp. nanotechnol., 8:4 (2021),  42–50
6. Математическое моделирование оптимальных параметров атмосферного воздействия на свойства солнечного модуля
   
   Comp. nanotechnol., 7:2 (2020),  58–63
7. Solar elements based on noncrystallic silicon with nanostructured impacts
   
   Comp. nanotechnol., 2018, № 3,  85–90
8. Расширение спектра эффективного поглощения солнечных элементов с нановключениями
   
   Comp. nanotechnol., 2018, № 1,  155–157
9. Анализ роли нанообъектов в удешевлении кремниевых солнечных элементов
   
   Comp. nanotechnol., 2017, № 3,  14–17
10. Unique opportunity to create cheap but effective silicon solar cells
    
    Comp. nanotechnol., 2017, № 1,  61–64
11. Уникальная возможность создания дешевого, но эффективного кремниевого солнечного элемента
    
    Comp. nanotechnol., 2017, № 1,  56–60
12. The difference between the contact structure with nanosize inclusions from the semiconductor photodiodes
    
    Comp. nanotechnol., 2016, № 3,  203–207
13. Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов
    
    Comp. nanotechnol., 2016, № 3,  196–202
14. Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»
    
    Comp. nanotechnol., 2015, № 4,  51–63
15. Электрофизические свойства новой контактной структуры “нанообъект–полупроводник”
    
    ЖТФ, 85:5 (2015),  110–115
16. Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации
    
    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  817–819
17. Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону II. Сравнение с экспериментом
    
    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  730–734
18. Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2193–2197
19. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  211–217
20. Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1193–1198
21. Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  726–729
22. Учет возмущения волновых функций непрерывного спектра в примесном поглощении
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1492–1498
23. Роль рассеяния на мелких нейтральных центрах в кинетических явлениях при низкой температуре
    
    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  69–76
24. Сечение фотоионизации для переходов $h$-центр–зона проводимости
    
    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1877–1879
25. Ток увлечения электронов при двухфотонной ионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1417–1421
26. Особенности поглощения света глубокими примесными центрами в тонких полупроводниковых слоях
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1235–1241