RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Теруков Евгений Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование температурной зависимости световых вольт-амперных характеристик кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  27–30
  2. On sputter damage of silicon heterojunction solar cells and its recovery by illuminated annealing

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  53
  3. Проявление эффекта экранирования электрического поля в процессе генерации терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si при фотовозбуждении ультракороткими лазерными импульсами

    Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  22–26
  4. Симметрия локального окружения атомов германия в аморфных пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

    Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  11–13
  5. Spectral and kinetic non-equivalent site distribution of Ce$^{3+}$ and Eu$^{2+}$ ions in borosilicate glasses

    Физика твердого тела, 66:3 (2024),  432
  6. Мёссбауэровское исследование примесных атомов цинка в галогенидах щелочных металлов и меди

    Физика твердого тела, 66:1 (2024),  51–55
  7. Полугибкие фотоэлектрические модули на основе кремниевых HJT-ячеек

    ЖТФ, 94:10 (2024),  1707–1712
  8. Исследование методом импедансной спектроскопии тандемных солнечных элементов на основе $c$-Si с верхним слоем нанокристаллов перовскитов CsPbBr$_3$ и CsPbI$_3$

    ЖТФ, 94:4 (2024),  638–645
  9. Дендритные структурные неоднородности в тонких слоях Cs$_{0.2}$FA$_{0.8}$PbI$_{2.93}$Cl$_{0.07}$ для перовскитных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  629–635
  10. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  23–27
  11. Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si

    Физика твердого тела, 65:5 (2023),  848–852
  12. Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  18–21
  13. Исследование галогенидов натрия и меди методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе $^{67}$Zn

    Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  43–46
  14. Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи

    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  21–25
  15. Электрические и оптические характеристики пленок нанокристаллов перовскитов галогенида свинца CsPbI$_3$ и CsPbBr$_3$, нанесенных на $c$-Si солнечные элементы для фотовольтаических приложений

    Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1695–1700
  16. Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка

    Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1681–1689
  17. Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si

    Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022),  825–829
  18. Локальная структура аморфных пленок (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)

    ЖТФ, 92:11 (2022),  1678–1686
  19. Газочувствительность наноструктурированных покрытий на основе наностержней оксида цинка при комбинированной активации

    ЖТФ, 92:5 (2022),  758–764
  20. Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  516–525
  21. Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  315–319
  22. Природа локального окружения атомов германия в аморфных пленках (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)

    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  11–14
  23. Теплофизические свойства терморасширенного графита

    ТВТ, 60:1 (2022),  19–22
  24. Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  3–8
  25. Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди антиферромагнитных соединений, аналогов сверхпроводящих металлооксидов меди

    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  381–385
  26. Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства

    ЖТФ, 90:7 (2020),  1168–1174
  27. Исследование структурных и оптических свойств углеродных нановолокон

    ЖТФ, 90:3 (2020),  430–433
  28. Двухэтапный синтез структурированных микросистем из наностержней оксида цинка с использованием ультразвукового спрей-пиролиза и низкотемпературного гидротермального метода

    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1251–1257
  29. Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди диэлектрических и сверхпроводящих металлооксидов меди

    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  52–54
  30. Локальная структура аморфных и кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  19–21
  31. Управление фрактальностью и размером серебряных кластеров при одностадийном синтезе гетероструктур Ag–ZnO

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  30–32
  32. Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  3–5
  33. Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники

    ЖТФ, 89:12 (2019),  1917–1922
  34. Анализ структурной эволюции порошков оксида цинка, полученных методом механического высокоэнергетического размола

    ЖТФ, 89:9 (2019),  1406–1411
  35. Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1547–1556
  36. Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1140
  37. Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge–Te и Ge–As–Te

    Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  718–723
  38. Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:17 (2019),  39–42
  39. Перовскитный солнечный элемент с дырочным транспортным слоем на основе комплекса полианилина

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  3–5
  40. Направленная самосборка микро- и нанопроводов оксида цинка

    Письма в ЖТФ, 45:12 (2019),  45–48
  41. Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния

    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  9–12
  42. Температурная зависимость электрического сопротивления оксида графена

    ТВТ, 57:2 (2019),  221–225
  43. Параметры ядерного квадрупольного взаимодействия и пространственное распределение электронных дефектов в решетках YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ и La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$

    Физика твердого тела, 60:10 (2018),  1866–1873
  44. Спектроскопические исследования эволюции фрактальных нанообъектов в пленкообразующих золях ортокремниевой кислоты

    ЖТФ, 88:11 (2018),  1743–1751
  45. Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники

    ЖТФ, 88:11 (2018),  1678–1680
  46. Радиопоглощающие свойства полимерных композитов на основе шунгита и углеродного наноматериала “Таунит-М”

    ЖТФ, 88:7 (2018),  1075–1079
  47. Улучшения качества лазерного скрайбирования прозрачного проводящего оксида при изготовлении тонкопленочного солнечного модуля

    ЖТФ, 88:4 (2018),  572–577
  48. Оптические и электрические свойства оксида графена

    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  820–824
  49. Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1675–1682
  50. Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1137–1144
  51. Особенности спектров ЯМР $^{63,65}$Cu в локальном поле образцов полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из сульфидных месторождений океана

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  836–839
  52. Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  792–795
  53. Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  787–791
  54. Структура мессбауэровских спектров примесных атомов $^{119m}$Sn в халькогенидах свинца в условиях радиоактивного равновесия изотопов $^{119m}$Te/$^{119}$Sn

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  560–564
  55. Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  189–195
  56. Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49
  57. Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H

    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  95–102
  58. Формирование литографических рисунков ограненными микрочастицами оксида цинка на кремниевой подложке

    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  87–92
  59. Использование солнечных элементов с двусторонней контактной сеткой в условиях Казахстана

    ЖТФ, 87:12 (2017),  1879–1883
  60. Исследование процессов фотодеградации бриллиантового зеленого на механоактивированных порошках оксида цинка

    ЖТФ, 87:11 (2017),  1707–1711
  61. Моделирование сенсорного отклика вакуумметров с чувствительными элементами на основе многокомпонентных оксидных наноматериалов с фрактальной структурой

    ЖТФ, 87:5 (2017),  780–787
  62. Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных ($\alpha$-Si/$\mu c$-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1229–1234
  63. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  472–476
  64. Исследования полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из гидротермальных отложений океанского рифта методом ЯМР Cu в локальном поле

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  8–11
  65. Новый тип газовых сенсоров на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями переменной валентности

    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  11–16
  66. Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11
  67. Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов

    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  88–96
  68. Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si

    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  95–101
  69. Абсолютные заряды атомов решетки YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$, полученные методом анализа параметров ядерного квадрупольного взаимодействия

    Письма в ЖТФ, 43:8 (2017),  102–110
  70. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si

    Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
  71. Гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния с контактной сеткой, напечатанной на принтере методом струйной печати

    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  74–79
  72. Теплофизические свойства полимерного композита на основе углеродных многостенных нанотрубок, полученного методом электроспиннинга

    ТВТ, 55:4 (2017),  513–517
  73. Спектроскопические свойства гамма-облученных композитных наночастиц Fe$_{m}$O$_{n}$–SiO$_{2}$

    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  892–896
  74. Бета-электрические элементы из аморфного кремния

    ЖТФ, 86:5 (2016),  102–106
  75. Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1276–1282
  76. Электрические, оптические и фотолюминесцентные свойства пленок ZnO при термическом отжиге и обработке в водородной плазме

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1030–1035
  77. Электронный обмен между примесными $U^{-}$-центрами олова в твердых растворах PbS$_{z}$Se$_{1-z}$

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  893–899
  78. Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  639–642
  79. Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе

    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  538–548
  80. Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263
  81. Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  212–217
  82. Фотолюминесценция в области края фундаментального поглощения текстурированного без маскирования монокристаллического кремния

    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  55–61
  83. Нанолитографическая самосборка коллоидных наночастиц

    Письма в ЖТФ, 42:18 (2016),  81–87
  84. Кристаллизация пленок аморфного гидрогенизированного кремния ($a$-Si : H) при облучении фемтосекундными лазерными импульсами

    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  36–42
  85. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
  86. Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах наноструктур на основе смешанных оксидов

    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2304–2312
  87. Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца

    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1928–1933
  88. Низкочастотный импеданс в тонких пленках вблизи фазового перехода металл–полупроводник

    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1859–1862
  89. Температурная зависимость удельного сопротивления пленок композита на основе углеродных многостенных нанотрубок

    Физика твердого тела, 57:2 (2015),  404–407
  90. Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm

    ЖТФ, 85:9 (2015),  97–104
  91. Чувствительные элементы датчиков вакуума на основе пористых наноструктурированных пленок SiO$_2$–SnO$_2$, полученных золь-гель методом

    ЖТФ, 85:6 (2015),  143–147
  92. Исследование структуры и состава кремниевых микроструктур, подвергшихся циклическому внедрению и экстракции лития

    ЖТФ, 85:4 (2015),  52–61
  93. Исследование процессов деградации оптических свойств мезо- и макропористого кремния при воздействии имитатором солнечного излучения

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1540–1545
  94. Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1521–1530
  95. Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1402–1406
  96. Рентгенофлуоресцентный анализ стекол Ge$_{1-x}$Se$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x-y}$As$_y$Se$_x$ с использованием электронного возбуждения

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1397–1401
  97. Интенсивность излучения линии $\lambda$ = 1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Ce, Yb, Er методом диффузии

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1016–1023
  98. Нанокластеры кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_x$ : H (0 $<x<$ 2). Обзор

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  887–898
  99. High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO

    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  843–846
  100. Алюмоборосиликатные стекла, содопированные редкоземельными элементами, как радиационно-защитные покрытия солнечных батарей

    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  753–757
  101. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  707–714
  102. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  697–706
  103. Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  693–696
  104. Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований

    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  82–88
  105. Термовольтаический эффект в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью

    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  22–28
  106. Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах

    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  42–49
  107. Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы

    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  17–25
  108. Исследование структуры, элементного и фазового состава композитных слоев Fe$_3$O$_4$–SiO$_2$ методами растровой электронной микроскопии, рамановской спектроскопии и тепловой десорбции азота

    Физика твердого тела, 56:11 (2014),  2086–2090
  109. Исследование каталитических свойств пленочных золь-гель систем CoO$_x$–SiO$_2$ на примере роста углеродных наноматериалов

    Физика твердого тела, 56:7 (2014),  1356–1359
  110. Исследование структуры и состава пленочных золь-гель-систем CoO$_x$–SiO$_2$

    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  270–275
  111. Особенности эксплуатации солнечной автономной гибридной энергоустановки в условиях Северо-Западного федерального округа

    ЖТФ, 84:10 (2014),  63–67
  112. Структуры из нанопроводов с переходами Zn–ZnO : CuO для детектирования паров этанола

    ЖТФ, 84:5 (2014),  143–148
  113. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине

    ЖТФ, 84:1 (2014),  67–78
  114. Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1198–1204
  115. Особенности спин-решеточной релаксации ядерных спинов $^{63,65}$Cu в полупроводниковом соединении CuAlO$_2$

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  801–804
  116. Гетеропереходы собственный окисел $p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  471–474
  117. Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  272–277
  118. Трионы в кремниевых нанокристаллах в матрице аморфного гидрогенизированного кремния

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  249–252
  119. Фоточувствительность кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктур с инверсионным каналом

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  72–79
  120. Температурная зависимость частоты двухэлектронного обмена между примесными $U$-минус центрами олова в сульфиде свинца

    Письма в ЖТФ, 40:5 (2014),  22–26
  121. Структура и электрохимические характеристики катодных материалов LiFePO$_4$ для перезаряжаемых Li-ионных батарей

    Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1288–1297
  122. Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния

    Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540
  123. Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H

    ЖТФ, 83:11 (2013),  86–91
  124. Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня

    ЖТФ, 83:11 (2013),  78–85
  125. Измерение микроколичеств титана на развитой поверхности кремния с помощью ячеек на основе перфторированных протонпроводящих мембран

    ЖТФ, 83:5 (2013),  147–150
  126. Изучение фотокаталитических и сенсорных свойств нанокомпозитных слоев ZnO/SiO$_2$

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1662–1666
  127. Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1385–1390
  128. Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1367–1370
  129. Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1283–1287
  130. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
  131. Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1094–1101
  132. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674
  133. О модели формирования поликристаллического гетероперехода $n$-ZnO/$p$-CuO

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  642–643
  134. Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах

    Письма в ЖТФ, 39:20 (2013),  40–48
  135. Измерение микроколичеств диоксида кремния на поверхности кремния с помощью сенсоров на основе перфторированных протонпроводящих мембран

    ЖТФ, 82:6 (2012),  132–134
  136. Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/$p$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1293–1296
  137. Исследование перспективного термоэлектрического соединения CuAlO$_2$ методом ядерного квадрупольного резонанса Cu

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1126–1129
  138. Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  971–978
  139. Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных $a$-Si : H и тандема $\mu c$-Si:H + $a$-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I–V-характеристик

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  952–959
  140. Интенсивность излучения внутрицентровых 4$f$-переходов в пленках $a$-Si : H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  925–936
  141. Study of platinum impurity atom state in vitreous arsenic selenide

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  901–904
  142. Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  802–804
  143. Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/$n$-GaP

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  798–801
  144. Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  769–774
  145. Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ по данным комбинационного рассеяния света

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  609–612
  146. Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  231–234
  147. Мессбауэровские исследования структурных свойств и электрохимических характеристик LiFePO$_4$

    Письма в ЖТФ, 38:15 (2012),  57–66
  148. Структурное исследование тонких пленок фталоцианина меди методом спектроскопии анизотропного отражения

    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  68–76
  149. Термоиндуцированная дефектная фотолюминесценция гидрогенизированного аморфного кремния

    Физика твердого тела, 53:2 (2011),  240–246
  150. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния

    Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405
  151. Передача энергии между нанокристаллами кремния

    Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011),  162–165
  152. Теплопроводность композитной среды с дисперсным графеновым наполнителем

    ЖТФ, 81:8 (2011),  15–19
  153. Комплексное исследование условий получения гидрированных аморфных пленок субоксида кремния, легированного эрбием и кислородом, $a$-SiO$_x$:H$\langle$Er,O$\rangle$, с помощью dc-магнетрона

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1667–1677
  154. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1399–1404
  155. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  801–805
  156. Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn$_5$Te$_8$: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  617–621
  157. Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  518–523
  158. Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  468–473
  159. Особенности слоев аморфного кремния, полученных методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы, содержащей четырехфтористый кремний

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  312–315
  160. Электрические, оптические и механические свойства аморфного гидрогенизированного углерода, полученного при различных условиях осаждения

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  120–122
  161. Компактный источник тока на основе воздушно-водородных топливных элементов со свободно-дышащими катодами

    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  45–54
  162. Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As–Ge–Se

    Письма в ЖТФ, 37:6 (2011),  15–20
  163. Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1059–1063
  164. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1012–1016
  165. Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  513–516
  166. Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  372–376
  167. Выращивание монокристаллов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и свойства фоточувствительных структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  39–43
  168. Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  26–29
  169. Мембранно-электродные блоки с высокой удельной мощностью на основе функционализированных многостенных углеродных нанотрубок

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  98–105
  170. Механохимическое диспергирование терморасширенного графита

    Письма в ЖТФ, 36:13 (2010),  81–88
  171. Портативные влагонезависимые воздушно-водородные топливные элементы с газораспределительной пластиной на основе щелевого кремния

    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  1–9
  172. Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)

    Физика твердого тела, 34:1 (1992),  326–328
  173. Фотоэлектрические свойства пленок $a$-Si : H и структур на их основе в УФ области спектра

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1350–1354
  174. Фотопроводимость и ударная ионизация в пленках $a$-Si : H в УФ области спектра

    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  81–84
  175. Антистоксовское излучение аморфных пленок углерода $\alpha$-C : H

    Физика твердого тела, 32:3 (1990),  784–788
  176. Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H

    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  710–716
  177. Влияние технологии приготовления пленок $a$-Si : H на излучательную рекомбинацию

    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  488–491
  178. Фоточувствительность $p{-}i{-}n$ структур и структур с барьером Шоттки на основе $a$-Si : H в области УФ излучения

    Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  47–50
  179. Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2173–2176
  180. О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и $a$-Si : H

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  927–929
  181. Особенности фотолюминесценции пленок аморфного гидрогенизированного углерода ($a$-C : H)

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1675–1680
  182. Фотоиндуцированный эффект в приконтактной области планарного световода с пленкой аморфного гидрированного кремния

    ЖТФ, 57:10 (1987),  1978–1980
  183. Фотолюминесценция многослойной $n{-}p{-}n{-}p$-структуры на основе аморфного гидрированного кремния

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  926–928
  184. Электрооптическая керровская модуляция света в структуре стеклянный волновод–покровный слой $a-Si:H$

    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  705–709
  185. Уточнение метода постоянного фототока для определения плотности локализованных состояний в $a$-Si : H

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2106–2108
  186. Растворимость олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2219–2220
  187. Диффузия олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1182–1185
  188. Низкотемпературная диффузия платины в пленках $a$-Si : Н

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  358–360
  189. Акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре $Li\,Nb\,O_3-a-Si:H$

    Письма в ЖТФ, 11:20 (1985),  1248–1251
  190. Изготовление и исследование тонкопленочного волноводного фотодиода с барьером Шоттки на основе аморфного кремния

    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  813–816
  191. О влиянии температурного отжига на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  28–31
  192. Определение плотности состояний в запрещенной зоне аморфного гидрированного кремния

    Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  529–532
  193. Особенности спектральной чувствительности барьеров Шоттки на гидрированном аморфном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1869–1871

  194. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения

    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894

© МИАН, 2026