Плотниченко Виктор Геннадиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дисперсия показателя преломления и спектры комбинационного рассеяния света монокристалла германия, обогащенного изотопом $^{70}$Ge
   
   Оптика и спектроскопия, 133:7 (2025),  734–740
2. Влияние атомной массы и изотопной разупорядоченности на фононные спектры кристаллов изотопно-обогащенного германия
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1425–1430
3. Спектр отражения многослойного графена в среднем ИК диапазоне: влияние адсорбата на границе графен – подложка
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1074–1077
4. Антиотражающее покрытие элементов силовой алмазной оптики для CO₂-лазеров
   
   Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1000–1004
5. Двухфотонное поглощение в теллуритно-цинкатном стекле 70TeO₂ – 30ZnO
   
   Квантовая электроника, 48:8 (2018),  715–716
6. Исследование оптического поглощения и фотолюминесценции в эпитаксиальных пленках (Pb,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂ : Се, выращенных из содержащих Pb растворов-расплавов
   
   Квантовая электроника, 47:10 (2017),  922–926
7. Двухфотонное поглощение в стеклах на основе сульфида мышьяка
   
   Квантовая электроника, 46:10 (2016),  895–898
8. Обнаружение в воде неравновесных фазовых переходов
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011),  92–94
9. Диэлектрические и транспортные свойства тонких пленок, осажденных из золей, содержащих наночастицы кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1068–1078
10. Междоузельная молекула BiO как центр широкополосной ИК люминесценции в кварцевом стекле, легированном висмутом
    
    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1080–1082
11. Брэгговские решетки второго порядка в одномодовых халькогенидных световодах
    
    Квантовая электроника, 41:5 (2011),  465–468
12. Показатель преломления монокристаллов моноизотонных ²⁸Si, ²⁹Si и ³⁰Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне
    
    Квантовая электроника, 40:9 (2010),  753–755
13. Дисперсионные и волноводные характеристики микроструктурированных световодов из температурного стекла 68TeO₂-22WO₃-8La₂O₃-2Bi₂O₃ для генерации суперконтинуума
    
    Квантовая электроника, 40:6 (2010),  513–518
14. Механизм индуцированного изменения показателя преломления в фосфоросиликатном стекле
    
    Квантовая электроника, 40:3 (2010),  264–268
15. Фото- и термоиндуцированные реакции с участием водорода в волоконных световодах с высокой концентрацией германия в сердцевине
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1147–1154
16. Перестройка сетки фосфоросиликатного стекла под действием излучения на длине волны 193 нм
    
    Квантовая электроника, 38:10 (2008),  945–950
17. Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм
    
    Квантовая электроника, 37:6 (2007),  575–579
18. Фотоиндуцированное поглощение и наведение показателя преломления в фосфоросиликатных световодах под действием излучения c λ = 193 нм
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  388–392
19. Численное моделирование фотонно-кристаллических световодов из теллуритно-вольфраматного стекла для применения в параметрических волоконных устройствах
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  67–72
20. Ускоренная диффузия молекулярного водорода в германосиликатных световодах, насыщенных при высоком давлении
    
    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  278–284
21. Катастрофическое разрушение волоконных световодов различного состава под действием лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  476–478
22. Бесконтактное измерение истинной температуры и спектральной излучательной способности веществ в конденсированной фазе
    
    ТВТ, 37:3 (1999),  469–474
23. Фотоиндуцированные изменения спектров комбинационного рассеяния в световодах на основе германосиликатных стекол
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  341–344
24. Влияние УФ облучения и обработки высоким давлением на спектры УФ поглощения и комбинационного рассеяния германосиликатного стекла
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  103–104
25. Использование ИАГ:Er-лазера с халькогенидным волоконным световодом в лазерной хирургии
    
    Квантовая электроника, 22:5 (1995),  523–525
26. Одномодовый волоконный световод из халькогенидных стекол системы As — S
    
    Квантовая электроника, 22:3 (1995),  287–288
27. Двухслойные халькогенидные волоконные световоды с оптическими потерями менее 30 дБ/км
    
    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  109–110
28. Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1907–1913
29. Низкотемпературные фотоиндуцированные изменения оптических потерь в волоконных световодах на основе халькогенидных стекол
    
    Письма в ЖТФ, 13:1 (1987),  35–38
30. Измерение оптических характеристик ИК волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  827–833
31. Исследование оптических упругих свойств фторидного стекла методом МБР
    
    Квантовая электроника, 14:2 (1987),  377–378
32. Временная зависимость оптических потерь ИК-волоконных световодов на основе халькогенидных стекол
    
    Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  850–853
33. Двуслойные монокристаллические волоконные световоды
    
    Квантовая электроника, 12:12 (1985),  2488–2489
34. Влияние полимерной отражающей оболочки на оптические потери световодов из халькогенидных стекол
    
    Квантовая электроника, 12:10 (1985),  2167–2169
35. Оценка чувствительности волоконно-оптических датчиков на основе ИК световодов
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  194–196
36. Волоконные световоды среднего инфракрасного диапазона на основе As–S и As–Se с оптическими потерями менее 1 дб/м
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1906–1907
37. Спектральные характеристики лазеров на окиси углерода с различным изотопным наполнением
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2303–2306
38. Стеклообразный As₂Se₃ с оптическим поглощением 60 дБ/км
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1465–1466
39. Оценка минимальных оптических потерь в халькогенидных стеклах
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  798–800
40. Монокристаллы галогенидов таллия с оптическими потерями менее 10 дБ/км
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  796–798
41. Инфракрасные волоконные световоды из халькогенидных стекол
    
    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  438–440
42. Перестраиваемый лазер на окиси углерода
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1540–1550
43. Исследование оптической однородности высокопрозрачных твердотельных материалов методом лазерной калориметрии
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1495–1503
44. Монокристаллические волоконные световоды среднего инфракрасного диапазона
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1378–1379
45. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения $CO_2$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1345–1347
46. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения $CO$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1342–1345
47. Оптические потери в кристаллах КРС-5 и КРС-6
    
    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  646–648


48. VIII Международный симпозиум по галогенидным стеклам (Перрос-Гирес, Франция, 22–24 сентября 1992 г.)
    
    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  204–208