Ральченко Виктор Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности проводимости номинально нелегированного монокристаллического CVD алмаза
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  235–239
2. Особенности роста микро- и нанокристаллических алмазных пленок на высокоаспектных подложках с вращением
   
   ЖТФ, 94:12 (2024),  2133–2144
3. Синтез CVD-алмаза детекторного качества для радиационно-стойких детекторов ионизирующего излучения
   
   ЖТФ, 92:4 (2022),  596–603
4. Исследование потерь пропускания в поликристаллическом CVD-алмазе в миллиметровом диапазоне длин волн методом свободного пространства
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  43–46
5. Flintstone as a nanocomposite material for photonics
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018),  603–608
6. ВКР-лазер на алмазе с генерацией на длинах волн 1194, 1419 и 597 нм
   
   Квантовая электроника, 48:3 (2018),  201–205
7. Моноизотопные $^{12}\mathrm{C}$- и $^{13}\mathrm{C}$-алмазы — новейшие ВКР-активные кристаллы, как новый этап в развитии алмазной фотоники (diamond photonics)
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  356–361
8. Исследование прочности синтетических алмазов при растягивающих напряжениях, возникающих при пикосекундном лазерном воздействии
   
   Прикл. мех. техн. физ., 56:1 (2015),  171–179
9. Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения
   
   Квантовая электроника, 44:11 (2014),  1055–1060
10. Генерация отрицательных давлений и откольные явления в алмазе под действием пикосекундного лазерного импульса
    
    Квантовая электроника, 44:6 (2014),  530–534
11. Фотонные кристаллы из алмазных сфер со структурой опала
    
    Физика твердого тела, 55:5 (2013),  1035–1038
12. Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
    
    ЖТФ, 83:3 (2013),  113–117
13. Перколяционная модель перехода диэлектрик–проводник в ультрананокристаллических алмазных пленках
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:7 (2012),  435–439
14. Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  959–960
15. Получение прямых и инвертированных опаловых матриц из алмаза методом осаждения из газовой фазы
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1069–1071
16. Конверсия метана в многоочаговом скользящем разряде в двухфазной среде вода–газ
    
    ЖТФ, 81:11 (2011),  48–51
17. Измерение оптического поглощения пластин поликристаллического CVD-алмаза фазовым фототермическим методом на длине волны 10.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1171–1178
18. УФ детекторы на основе поликристаллических алмазных пленок для эксимерных лазеров
    
    Квантовая электроника, 36:6 (2006),  487–488
19. Лазерный плазмотрон для бескамерного осаждения алмазных пленок
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  385–389
20. Observation of stimulated Raman scattering in CVD-diamond
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004),  298–301
21. Измерение теплопроводности поликристаллического CVD-алмаза методом импульсных динамических решеток
    
    Квантовая электроника, 32:4 (2002),  367–372
22. Формирование электропроводных линий на алмазоподобных углеродных пленках методом лазерного рисования
    
    Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  54–56
23. Взаимодействие лазерного излучения с алмазными пленками
    
    Докл. АН СССР, 303:3 (1988),  598–601
24. Лазерное сверление металлов под водой
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1055–1058
25. Об использовании ВеО в лазерах среднего ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2350–2353
26. Растворение окалины как причина экстремально высоких значений отражения воспламеняющихся металлов
    
    Докл. АН СССР, 274:6 (1984),  1357–1361
27. Связь оптических свойств окалины с кинетикой ее роста при лазерном воспламенении и горении металла
    
    Докл. АН СССР, 271:5 (1983),  1126–1129