|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Алгоритм выбора соотношения масс электродов в литий-ионных аккумуляторах для режима быстрого заряда
Письма в ЖТФ, 51:11 (2025), 61–64
-
Advanced heterogeneous Pd catalysts for the Suzuki–Miyaura reaction with aryl bromides
Mendeleev Commun., 33:2 (2023), 177–179
-
Влияние слоя Ленгмюра на развитие неустойчивости расплавленной металлической поверхности под воздействием плазмы лазерного факела
Письма в ЖТФ, 49:24 (2023), 66–69
-
Влияние термополевой эмиссии электронов на формирование аморфных металлических наночастиц в плазме лазерного факела
ЖТФ, 91:5 (2021), 721–731
-
Моделирование заряд-разрядных характеристик суперконденсаторов на основе эквивалентной схемы с фиксированными параметрами
Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 33–35
-
Зарядовое состояние металлических наночастиц на проводящей подложке
Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1731–1737
-
Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота
Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1431–1436
-
Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 30–38
-
Формирование аморфных наночастиц углерода методом лазерного электродиспергирования
Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 57–62
-
Исследование воздействия мощных потоков плазмы на образцы из пластин вольфрама с многослойной пленкой вольфрамовых наночастиц
Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 40–47
-
Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием
Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 423–430
-
Наноструктурированные магнитные пленки оксидов железа, полученные методом лазерного электродиспергирования
Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 62–69
-
Исследование зарядки металлических микрочастиц в потоке электронов
Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 55–61
-
Зарядовое состояние неупорядоченной системы металлических наночастиц
Физика твердого тела, 57:9 (2015), 1670–1674
-
Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, полученные методом лазерного электродиспергирования
Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1607–1610
-
Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1555–1561
-
Диспергирование микрокапель металлов под действием электронного пучка при динамическом удержании в электростатической ловушке
Письма в ЖТФ, 40:1 (2014), 64–70
-
Оптические постоянные тонких пленок наночастиц кремния, полученных методом лазерного электродиспергирования
Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1376–1380
-
Влияние вторичной эмиссии электронов на зарядку капель расплавов металлов в электронном потоке
Письма в ЖТФ, 39:20 (2013), 7–14
-
Каскадное деление капель металлов при непрерывном заряжении в потоке электронов
Письма в ЖТФ, 39:3 (2013), 18–25
-
Получение структур из аморфных металлических наночастиц диспергированием металлических капель, непрерывно заряжаемых в потоке электронов
ЖТФ, 82:6 (2012), 135–141
-
Компактный источник тока на основе воздушно-водородных топливных элементов со свободно-дышащими катодами
Письма в ЖТФ, 37:9 (2011), 45–54
-
Портативные влагонезависимые воздушно-водородные топливные элементы с газораспределительной пластиной на основе щелевого кремния
Письма в ЖТФ, 36:11 (2010), 1–9
-
Стабилизация процесса электрогидродинамического диспергирования металлов с электронно-лучевым нагревом
Письма в ЖТФ, 36:7 (2010), 96–102
-
Транспорт электронов в монодисперсных наноструктурах металлов
Письма в ЖЭТФ, 81:5 (2005), 287–291
-
Получение и исследование пленок SiO$_{2}$, активированных полупроводниковыми нанокристаллами CdS
Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 102–106
-
Применение маски As$_{2}$S$_{3}$/органический фоторезист
для реактивного ионного травления полупроводников A(III)B(V)
Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 85–90
-
Исследование краевого поглощения света в легированном GaAs
при комнатной температуре
Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 769–775
-
Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема
«инжекционный лазер — полевой транзистор» на
основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 70–74
-
Акустооптическое взаимодействие в волноводе $Ta_2\,O_5-Si\,O_2-Ga\,As$
Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1225–1227
-
Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 12:10 (1986), 577–582
-
Исследование температурной стабильности спектральных полос распределенного отражения в монолитно-гибридном брэгговском гетеролазере
Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 268–274
-
Фазовые особенности отражения света брэгговским зеркалом, обусловленные скачком диэлектрической проницаемости на его границе
Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 989–993
-
Спектральные и временные характеристики излучения монолитно-гибридных гетеролазеров с брэгговским зеркалом
Письма в ЖТФ, 11:10 (1985), 606–611
-
Исследование инжекционного брэгговского гетеролазера с высокой температурной стабильностью длины волны излучения
Письма в ЖТФ, 11:9 (1985), 524–530
-
Оптическая коммутация высокочастотного сигнала излучениемполупроводникового лазера
Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 53–56
-
О спектральной зависимости коэффициента отражения брэгговского
зеркала
Письма в ЖТФ, 10:15 (1984), 945–949
-
Исследование пикосекундной фотопроводимости в полуизолирующем InP при
низких уровнях оптического возбуждения
Письма в ЖТФ, 10:6 (1984), 342–345
-
Влияние относительного спектрального положения полосы усиления
и линии генерации на динамику излучения гетеролазера с брэгговскими
зеркалами
Письма в ЖТФ, 10:3 (1984), 133–138
-
Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурной
стабильностью длины волны излучения
Письма в ЖТФ, 9:8 (1983), 456–460
-
Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894
© , 2026