Емцев Вадим Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  810–816
2. Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915
3. Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1188
4. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
5. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
6. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
7. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1632–1646
8. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
9. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
10. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
11. Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1592–1596
12. Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1473–1478
13. Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481
14. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  706–712
15. Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  574–577
16. Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  22–44
17. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  997–1003
18. Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si от интенсивности электронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  561–564
19. Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  191–196
20. Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  45–49
21. Образование дефектов в монокристаллических пленках Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ при «подпороговом» и «надпороговом» облучении
    
    Письма в ЖТФ, 17:20 (1991),  84–88
22. Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1209–1212
23. Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  374–376
24. Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения
    
    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  306–308
25. Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2221–2223
26. Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  425–428
27. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  184–185
28. Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1483–1486
29. Основные характеристики пары Френкеля в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  924–926
30. Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа при низкотемпературном гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  747–750
31. Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  502–504
32. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии $n$-типа при электронном (импульсном) облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2106–2109
33. Равновесный уровень заполнения вакансии в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1888–1892
34. Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов в $n$-германии при электронном и гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1826–1831
35. Влияние термообработки на перестройку кислородосодержащих дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1283–1288
36. Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  145–149
37. Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  840–843
38. Анизотропия угловых распределений аннигиляционных гамма-квантов, обусловленная радиационными дефектами в нейтронно-облученном германии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  552–555
39. Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  164–167
40. Связывание доноров у группы в электрически неактивные комплексы при облучении П-германия электронами с энергией 1 МэВ
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1461–1464
41. Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  296–299
42. Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1516–1519
43. Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1505–1508
44. Точечные дефекты, возникающие в кремнии с примесью бора, галлия и индия при низкотемпературном гамма-облучении
    
    Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1063–1065
45. О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1985–1990
46. Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  724–725
47. Об энергетическом спектре вакансии в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  350–352
48. Процессы дефектообразования в Ge$\langle\text{Hg}\rangle$ при гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  173–176
49. Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  52–56
50. Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  35–39


51. Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1374–1375