RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кукушкин Сергей Арсеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Природа стабильных и метастабильных состояний электронной структуры вакансионных нитей на поверхности карбида кремния

    Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  45–49
  2. Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1573–1577
  3. Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1432–1436
  4. Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом

    Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939
  5. Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов

    Физика твердого тела, 67:4 (2025),  624–634
  6. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Физика твердого тела, 67:1 (2025),  105–113
  7. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  31–35
  8. Андреевские генераторы терагерцевого излучения

    Физика твердого тела, 66:11 (2024),  2052–2058
  9. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1338–1343
  10. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

    Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1133–1143
  11. Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности

    ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150
  12. Взаимодействие кремниевых вакансий в карбиде кремния

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  19–23
  13. Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Физика твердого тела, 65:1 (2023),  71–75
  14. Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  534–537
  15. Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз”

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  343–347
  16. Фазовые превращения в слоях оксида галлия

    Письма в ЖТФ, 49:17 (2023),  6–9
  17. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
  18. Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур

    Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  19–21
  19. Влияние кинетики атомных ступеней на рост многокомпонентных кристаллов в условиях повышенных пересыщений

    Письма в ЖТФ, 49:13 (2023),  35–38
  20. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  3–6
  21. Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния

    Физика твердого тела, 64:5 (2022),  522–527
  22. Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии

    Физика твердого тела, 64:3 (2022),  326–336
  23. Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)

    Физика твердого тела, 64:1 (2022),  117–124
  24. Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  715–718
  25. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
  26. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3$C$-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

    Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  43–46
  27. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  24–28
  28. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
  29. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
  30. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
  31. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
  32. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
  33. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
  34. Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N

    Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  51–54
  35. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
  36. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
  37. Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии

    Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  7–10
  38. Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  25–28
  39. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si

    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
  40. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
  41. Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3$C$-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  3–5
  42. Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  3–6
  43. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  28–31
  44. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней

    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38
  45. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
  46. Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2436
  47. Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2379–2384
  48. Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2338–2343
  49. Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2334–2337
  50. Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2317–2321
  51. Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315
  52. Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2294–2297
  53. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
  54. Международная конференция “Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок”, посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В.В. Слёзова

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2269–2273
  55. Пути политипных превращений в карбиде кремния

    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1443–1447
  56. Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов

    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593
  57. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов

    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
  58. Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния

    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  422–425
  59. Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  370–380
  60. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
  61. Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  11–14
  62. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
  63. Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$

    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20
  64. Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры

    Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027
  65. Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов

    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1841–1846
  66. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
  67. Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния

    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  499–504
  68. Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  656–663
  69. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
  70. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
  71. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния

    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408
  72. Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния

    Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1214–1217
  73. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов

    Физика твердого тела, 59:5 (2017),  986–998
  74. Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния

    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  755–761
  75. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
  76. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния

    Физика твердого тела, 59:2 (2017),  385–388
  77. Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния

    Физика твердого тела, 59:1 (2017),  30–35
  78. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
  79. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
  80. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420
  81. Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов

    Письма в ЖТФ, 43:13 (2017),  81–88
  82. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
  83. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
  84. Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1398–1402
  85. Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах

    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  941–949
  86. Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si

    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  937–940
  87. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния

    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  725–729
  88. Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии

    Физика твердого тела, 58:3 (2016),  612–615
  89. Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352
  90. Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)

    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  465–469
  91. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$

    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57
  92. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72
  93. Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии

    Письма в ЖТФ, 42:4 (2016),  16–22
  94. Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния

    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2469–2474
  95. Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями

    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2451–2457
  96. Эволюция морфологии алмазных частиц и механизма их роста в процессе синтеза методом газофазного осаждения

    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2125–2130
  97. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN

    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
  98. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN

    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
  99. Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире

    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  796–801
  100. Релаксация деформаций несоответствия за счет пор и отслоений и условия образования дислокаций, трещин и гофров в эпитаксиальной гетероструктуре AlN(0001)/SiC/Si(111)

    Физика твердого тела, 57:1 (2015),  153–162
  101. Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  1–9
  102. Критерий морфологической устойчивости сферического фронта кристаллизации в многокомпонентной системе с химическими реакциями

    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2440–2445
  103. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния (Обзор)

    Физика твердого тела, 56:8 (2014),  1457–1485
  104. Фазовый переход первого рода через промежуточное состояние

    Физика твердого тела, 56:4 (2014),  761–768
  105. Наноиндентирование и деформационные свойства наномасштабных пленок карбида кремния на кремнии

    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  53–59
  106. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
  107. Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния

    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  71–79
  108. Анизотропия твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1575–1579
  109. Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования

    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32
  110. Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si

    Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  81–88
  111. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)

    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
  112. Механизм фазового превращения пирохлорной фазы в перовскитовую в пленках цирконата-титаната свинца на кремниевых подложках

    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  571–575
  113. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния

    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
  114. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев

    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79
  115. Особенности процесса кристаллизации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца

    Письма в ЖТФ, 37:4 (2011),  37–43
  116. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
  117. Процессы конденсации тонких пленок

    УФН, 168:10 (1998),  1083–1116
  118. Кинетика диффузионной коалесценции твердых растворов и температурной коалесценции однокомпонентных расплавов в случае послойного роста ядер новой фазы

    Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1102–1108
  119. Релаксационная жидкостная эпитаксия с инверсией массопереноса: модель и эксперимент

    ЖТФ, 62:3 (1992),  100–105
  120. Теоретические основы релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса

    ЖТФ, 60:7 (1990),  78–83
  121. Диффузионный рост вакансионных пор в облученных монокристаллах бромида цезия

    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3493–3496
  122. Кристаллизация бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов при наличии стоков и источников тепла и вещества

    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3231–3235
  123. Релаксационная жидкостная эпитаксия, основанная на инверсии массопереноса, и ее возможности для создания супертонких слоев A$^{3}$B$^{5}$

    ЖТФ, 58:8 (1988),  1507–1512
  124. Кристаллизация бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов в неизотермических условиях

    Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3657–3666
  125. К теории неизотермической коалесценции при распаде пересыщенных твердых растворов

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1812–1818
  126. Создание супертонких слоев GaAs на подложке GaAlAs жидкостной эпитаксией

    ЖТФ, 56:5 (1986),  910–913
  127. Кинетика кристаллизации однокомпонентных расплавов

    Физика твердого тела, 27:10 (1985),  2987–2991

© МИАН, 2026