Герасименко Николай Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ion synthesis: Si–Ge quantum dots
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  516
2. О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению
   
   Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1117–1122
3. Проблемы измерения параметров элементов и структур современной микро- и наноэлектроники на примере диффузионно-барьерных структур TiN/Ti
   
   Письма в ЖТФ, 39:14 (2013),  34–42
4. Особенности формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным пучком
   
   Письма в ЖТФ, 36:21 (2010),  38–45
5. Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1651–1653
6. Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1529–1535
7. Структурные перестройки в облученном ионами кремнии, стимулированные реакцией силицидообразования
   
   Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1242–1247
8. Исследование волноводных структур, полученных облучением плавленого кварца ионами водорода
   
   Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1372–1375