Неизвестный Игорь Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
2. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
3. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
4. Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  694–698
5. Concentric GaAs nanorings growth modelling
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  520
6. Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  447–453
7. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  63–70
8. Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра
   
   УФН, 185:10 (2015),  1031–1042
9. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  917–925
10. Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  130–135
11. Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003),  1289–1292
12. Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003),  184–187
13. Квантование спектра оптических фононов в Si$-$Si$_{0.5}$Ge$_{0.5}$ сверхрешетках
    
    Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1695–1698
14. Взаимодействие валентных и остовных электронов в полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 31:12 (1989),  32–36
15. Комбинационное рассеяние света на локальных колебаниях твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  292–297
16. Ангармонизм оптических фононов германия вблизи поверхности кристалла
    
    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  806–809
17. Магниторезонансные осцилляции фотомагнитного эффекта в $n$-Ge
    
    Физика твердого тела, 29:2 (1987),  570–572
18. Эффекты локализации, индуцированные колебаниями решетки
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3197–3200
19. Влияние поверхностной сверхрешетки на двумерный газ электронов
    
    УФН, 146:2 (1985),  353–355
20. Применимость шестизонной модели к расчету закона дисперсии соединений Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
    
    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1875–1877


21. Леонид Степанович Смирнов к 80-летию со дня рождения (1932–2011)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  861–863
22. Памяти Камиля Ахметовича Валиева
    
    УФН, 181:5 (2011),  557–558