Таиров М А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Компенсация фотоплеохроизма поляриметрических структур на основе CdGeP$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1469–1471
2. Фотоэлектрические свойства структур на основе CdGeP$_{2}$ и его бинарного аналога InP
   
   ЖТФ, 60:9 (1990),  174–176
3. Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов $n$-CdGeP$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1306–1312
4. Оптический дихроизм кристаллов CdSnP$_{2}$ в области фундаментального края поглощения
   
   Физика твердого тела, 31:4 (1989),  108–113
5. Фотоэлектрохимические ячейки из стеклообразных полупроводников $\text{II}{-}\text{IV}{-}\text{V}_{2}$
   
   ЖТФ, 59:7 (1989),  112–116
6. Электрические и фотоэлектрические свойства $n{-}p$-CdSiAs$_{2}$
   
   ЖТФ, 59:6 (1989),  128–131
7. Инверсия знака фототока в поляриметрических структурах из CdSiAs$_{2}$ и CdGeP$_{2}$
   
   ЖТФ, 59:2 (1989),  101–105
8. Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов CuInTe$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1299–1301
9. Спектры фоточувствительности структур Cu$-$CdSiP$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1002–1005
10. Фотоэффект в гетероструктурах In$_{2}$O$_{3}$/CuInSe$_{2}$, полученных методом термического окисления
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  869–872
11. Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит$-$CdGeP$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  312–315
12. Фундаментальный край оптического поглощения монокристаллов CdSiAs$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 30:12 (1988),  3584–3590
13. Отражение и эллипсометрия реальной поверхности кристаллов CuInS$_{2}$
    
    ЖТФ, 58:8 (1988),  1612–1614
14. Фотовольтаических эффект в гетеропереходе на основе $p$-ZnSnAs$_{2}$
    
    ЖТФ, 58:8 (1988),  1586–1588
15. Фотовольтаический эффект в барьерах $n$-CdO$-$CdGeP$_{2}$
    
    ЖТФ, 58:7 (1988),  1415–1419
16. Спектры фоточувствительности контакта I$-$III$-$VI$_{2}{-}$электролит
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1699–1701
17. Фазовый переход халькопирит${}\rightleftarrows{}$ сфалерит в полупроводниках II$-$IV$-$V$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1580–1584
18. Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур $n$-SiO$_{2}{-}p$-CdGeP$_{2}\langle\text{Ga}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1115–1116
19. Дихроизм кристаллов MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и фотоплеохроизм структур на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1101–1104
20. Обнаружение оптического линейного дихроизма в монокристаллах CuInTe$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 14:10 (1988),  917–920
21. Многочастотный «гигантский» фотоплеохроизм
    
    Письма в ЖТФ, 14:10 (1988),  900–903
22. Поляриметрический гетерофотоэлемент MnIn$_{2}$Te$_{4}{-}$Si
    
    ЖТФ, 57:12 (1987),  2403–2404
23. Физические свойства пленок MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и гетеропереходов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1916–1918
24. Диоды Шоттки на магнитных полупроводниках MnIn$_{2}$Te и MnGa$_{2}$Te$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1051–1053
25. Фоточувствительность систем полупроводники II$-$IV$-$V$_{2}{-}$ электролит
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  615–619
26. Экспериментальное обнаружение анизотропии оптического поглощения в кристаллах $Mn\,In_2\,Te_4$ и $Mn\,Ga_2\,Te_4$
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1040–1043
27. Расчет оптимального управления процессом вытеснения нефти водой
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 23:4 (1983),  994–999
28. Решение одной нелинейной задачи двухфазного течения в пористой среде
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 6:1 (1966),  106–112
29. Решение одной задачи фильтрации методом интегральных соотношений
    
    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 2:5 (1962),  938–942