RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Устинов Виктор Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фазовые шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm

    Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1230–1232
  2. Ширина линии излучения вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm

    Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1226–1229
  3. Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  39–42
  4. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
  5. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m

    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
  6. Влияние поверхностных ловушек на статические характеристики и разброс тока насыщения канала GaN HEMT-транзисторов

    Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  43–46
  7. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm

    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
  8. Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи

    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  21–25
  9. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик

    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
  10. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
  11. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
  12. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин

    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
  13. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
  14. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
  15. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs

    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
  16. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом

    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
  17. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs

    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
  18. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
  19. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами

    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
  20. Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки

    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1151–1159
  21. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
  22. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
  23. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
  24. Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре

    Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019),  445–448
  25. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин

    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
  26. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
  27. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
  28. Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54
  29. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов

    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
  30. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
  31. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
  32. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
  33. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
  34. Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23
  35. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
  36. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона

    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
  37. Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)

    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  7–43
  38. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
  39. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497
  40. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
  41. Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs

    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  17–23
  42. Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия

    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  87–94
  43. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
  44. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553
  45. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
  46. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
  47. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
  48. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
  49. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
  50. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона

    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
  51. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке

    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
  52. Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1379–1385
  53. Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  89–93
  54. МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса

    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  9–17
  55. Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1697–1703
  56. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1059–1064
  57. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
  58. Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором

    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  22–30
  59. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
  60. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем

    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
  61. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  833–837
  62. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
  63. Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  833–844
  64. Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  125–129
  65. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
  66. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
  67. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой

    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
  68. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
  69. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
  70. Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846
  71. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
  72. Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  688–693
  73. Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  9–15
  74. Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1451–1454
  75. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356
  76. Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  995–1001
  77. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  24–30
  78. Получение квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 5 $\mu$m молекулярно-пучковой эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  34–42
  79. Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке

    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582
  80. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками

    Квантовая электроника, 36:6 (2006),  527–531
  81. Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN

    Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  509–512
  82. Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда

    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424
  83. Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216
  84. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками

    УФН, 171:8 (2001),  855–857
  85. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

    УФН, 169:4 (1999),  459–464
  86. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах

    УФН, 166:4 (1996),  423–428
  87. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками

    УФН, 165:2 (1995),  224–225
  88. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722
  89. Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628
  90. In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  908–912
  91. Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549
  92. Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов

    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719
  93. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158
  94. Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95
  95. Влияние водорода на оптические и транспортные свойства эпитаксиальных слоев AlGaAs : Si

    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  1–5
  96. Двумерный электронный газ в гетероструктурах In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  47–50
  97. Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2133–2137
  98. Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1382–1385
  99. О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1110–1113
  100. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848
  101. Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  612–615
  102. Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием

    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71
  103. Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807
  104. Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356
  105. Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой

    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565
  106. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
  107. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203
  108. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274
  109. Вклад переходного слоя в коэрцитивность эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1376–1378
  110. Особенности динамических свойств периодических доменных структур

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1358–1360

  111. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения

    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894

© МИАН, 2026