RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Мохов Евгений Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре

    Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1647–1653
  2. Высокотемпературная диффузия бериллия в AlN как направление решения проблемы легирования $p$-типа и снижения интенсивности оптического поглощения

    Физика твердого тела, 67:6 (2025),  940–945
  3. Изотопически модифицированный карбид кремния: полупроводниковая платформа для квантовых технологий

    Физика твердого тела, 67:1 (2025),  114–120
  4. Создание NV$^-$-дефектов в карбиде кремния 6$H$–SiC облучением электронами высоких энергий

    Физика твердого тела, 66:4 (2024),  537–541
  5. Оптическая спиновая инициализация азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном ($^{28}$Si) кристалле 6H-SiC для квантовых технологий

    Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024),  587–592
  6. Влияние условий фотовозбуждения на спиновую поляризацию азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном карбиде кремния $6$H-$^{28}$SiC

    Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 166:2 (2024),  187–199
  7. Воздействие синхротронного излучения на теплопроводность AlN

    Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1848–1853
  8. Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий

    Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023),  639–648
  9. Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022),  481–489
  10. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1011–1015
  11. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
  12. Высокотемпературная диффузия акцепторной примеси Ве в AlN

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  275–278
  13. Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021),  533–540
  14. Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021),  323–327
  15. Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  513–517
  16. Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  251–255
  17. Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  813–819
  18. Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  224–227
  19. Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2298–2302
  20. Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1593–1596
  21. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

    УФН, 189:8 (2019),  803–848
  22. Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР

    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  641–659
  23. Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1104–1106
  24. Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН

    ЖТФ, 87:7 (2017),  1104–1106
  25. Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2319–2335
  26. Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions

    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  83
  27. Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  22–29
  28. Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$

    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  91–96
  29. Предотвращение растрескивания кристаллов AIN на подложках SiC путем испарения подложек

    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2400–2404
  30. Механизмы формирования морфологических особенностей микротрубок в объемных кристаллах карбида кремния

    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  733–740
  31. Нестационарная фотоэдс в кристаллах SiC, облученных реакторными нейтронами

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1879–1885
  32. Идентификация вакансии азота в монокристалле AlN: исследования методами ЭПР и термолюминесценции

    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1121–1125
  33. Диффузия в пористом карбиде кремния

    Физика твердого тела, 53:5 (2011),  885–891
  34. Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1576–1578
  35. Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  721–728
  36. Структурное совершенство кристаллов SiC, выращенных на профилированных затравках методом сублимации

    Письма в ЖТФ, 37:21 (2011),  25–32
  37. Зависимость скорости роста слоя AlN от давления азота в реакторе для выращивания кристаллов AlN методом сублимации

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1430–1432
  38. Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР

    Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  494–497
  39. Влияние примесей и собственных дефектов на физико-механические свойства монокристаллов карбида кремния

    Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2748–2752
  40. Диффузия фосфора в карбиде кремния

    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1956–1958
  41. Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1857–1860
  42. ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в $6H$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1556–1564
  43. Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1008–1014
  44. Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния

    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  107–110
  45. О легировании бором и азотом эпитаксиальных слоев 6H SiC, выращиваемых сублимацией в избытке кремния

    Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  41–45
  46. О переносе примеси фосфора из сублимирующегося источника SiC в эпитаксиальный слой

    Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  59–62
  47. ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4$H$ SiC

    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3315–3326
  48. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами

    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  762–766
  49. Движение дислокаций в кристаллах карбида кремния, вводимых механическими повреждениями поверхности

    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2311–2315
  50. Эффекты прыжковой проводимости в спектрах ЭПР 4$H$SiC, сильно легированных азотом

    Физика твердого тела, 32:3 (1990),  818–825
  51. Влияние Ge и избыточного Si на спектр ЭПР донорных состояний азота в 6$H$SiC

    Физика твердого тела, 32:3 (1990),  789–795
  52. Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным «сэндвич$-$методом» в вакууме

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  33–37
  53. Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  25–30
  54. Фиолетовые светодиоды на базе гетероэпитаксиальных слоев 6H/4H${-}\text{SiC}\langle\text{Ga, N}\rangle$, выращенных сублимационным «сэндвич-методом»

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  19–22
  55. Спектры ЭПР неэквивалентных позиций азота в $15R$ SiC

    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  50–59
  56. Позитронная диагностика вакансионных дефектов в облученном электронами карбиде кремния

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2159–2163
  57. Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1270–1274
  58. Наблюдение фазовых превращений в системах матрица$-$примесь$-$вакансионные дефекты методом аннигиляции позитронов

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  79–83
  59. Высокотемпературная люминесценция в $6H$-SiC, легированном Ga и N

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  38–41
  60. Катодолюминесценция SiC-6H, легированного Ga, при высоких уровнях возбуждения

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  60–64
  61. Кластеризация вакансий в процессе термического отжига карбида кремния, облученного тяжелыми ионами

    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  24–27
  62. Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния

    Физика твердого тела, 30:9 (1988),  2606–2610
  63. Изоконцентрационная диффузия бора в карбиде кремния

    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  248–251
  64. Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4H

    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2222–2226
  65. Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1685–1689
  66. Особенности высокотемпературной люминесценции эпитаксиальных слоев карбида кремния, легированных бором

    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  207–211
  67. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния

    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645
  68. Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора в 6$H{-}$SiC

    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1659–1664
  69. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в нейтронно-облученном $6H$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2153–2158
  70. Возникновение дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в $6H$-SiC при генерации избыточных углеродных вакансий

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1433–1437
  71. Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  261–264
  72. Диффузия, растворимость и ЭПР лития в карбиде кремния

    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3479–3481
  73. ЭПР в карбиде кремния, легированном бором

    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  322–329
  74. Ударная ионизация в политипах карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  814–818
  75. ОДМР в $\alpha-Si\,C$, легированном бором

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1168–1172
  76. Отжиг радиационных дефектов в $n$-SiC ($6H$), обученном нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2014–2019
  77. Электрические свойства сильно легированного $6H\text{-SiC}\langle\text{Al}\rangle$, облученного нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1911–1913
  78. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  700–703
  79. Диффузия бора в дырочном карбиде кремния

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  49–53
  80. Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале с естественной сверхрешеткой

    Письма в ЖТФ, 10:5 (1984),  303–306
  81. Прыжковая проводимость в $6H$-SiC, легированном Al

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  115–118

© МИАН, 2026