RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Варавин Василий Семёнович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием

    Физика твердого тела, 67:5 (2025),  805–809
  2. Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования

    Физика твердого тела, 67:1 (2025),  22–27
  3. Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  544–547
  4. Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs

    Физика твердого тела, 65:1 (2023),  56–62
  5. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643
  6. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  491–494
  7. Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  114–119
  8. Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  331–335
  9. Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te

    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35
  10. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
  11. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
  12. Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  554–559
  13. Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)

    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  625–629
  14. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
  15. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
  16. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
  17. Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)

    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2095–2101
  18. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
  19. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  379–384
  20. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  788–792
  21. Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211
  22. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур

    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
  23. Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длинах волн 2 и 3 мкм

    Письма в ЖЭТФ, 97:6 (2013),  404–408
  24. Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

    ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150
  25. Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1363–1367
  26. Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника

    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  551–557
  27. Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe

    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  10–17
  28. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
  29. Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  408–413
  30. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  396–402
  31. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)

    Письма в ЖТФ, 37:4 (2011),  1–7
  32. Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  476–481
  33. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  70–77
  34. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46
  35. Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330

© МИАН, 2026