Якушев Максим Витальевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  153–159
2. Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  544–547
3. Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения
   
   Оптика и спектроскопия, 131:9 (2023),  1213–1218
4. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643
5. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  491–494
6. Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  469–475
7. Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  426–431
8. Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Оптика и спектроскопия, 129:1 (2021),  33–40
9. In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1240–1247
10. Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  34–37
11. Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te
    
    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35
12. Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения
    
    Физика твердого тела, 62:2 (2020),  214–221
13. Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения
    
    Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020),  1815–1820
14. Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308
15. Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  14–17
16. Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  137–142
17. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
18. Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  625–629
19. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
20. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
21. Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
    
    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2095–2101
22. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  788–792
23. Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211
24. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур
    
    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
25. Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длинах волн 2 и 3 мкм
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:6 (2013),  404–408
26. Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
    
    ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150
27. Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1363–1367
28. Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  551–557
29. Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных на подложках из Si(310)
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  956–964
30. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
31. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  396–402
32. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)
    
    Письма в ЖТФ, 37:4 (2011),  1–7
33. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  62–68
34. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46
35. Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330