Сидоров Юрий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  114–119
2. Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  331–335
3. Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  14–17
4. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
5. Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
   
   Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2095–2101
6. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур
   
   Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
7. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011),  348–352
8. Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных на подложках из Si(310)
   
   Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  956–964
9. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
10. Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  408–413
11. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  396–402
12. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)
    
    Письма в ЖТФ, 37:4 (2011),  1–7
13. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  62–68
14. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  70–77
15. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46
16. Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330
17. Фотолюминесценция пленок (111) CdTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на (100) GaAs
    
    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1155–1160
18. Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$
    
    Докл. АН СССР, 304:3 (1989),  604–606