Сабинина Ирина Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  120–125
2. Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  16–19
3. Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  14–17
4. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
5. Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
   
   Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2095–2101
6. Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  551–557
7. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011),  348–352
8. Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных на подложках из Si(310)
   
   Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  956–964
9. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  396–402
10. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)
    
    Письма в ЖТФ, 37:4 (2011),  1–7
11. Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330
12. Фотолюминесценция пленок (111) CdTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на (100) GaAs
    
    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1155–1160
13. Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$
    
    Докл. АН СССР, 304:3 (1989),  604–606