|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
In memory of Pavel Pavlovich Fedorov (16.04.1950 – 31.03.2025)
Наносистемы: физика, химия, математика, 16:2 (2025), 132–133
-
Твердые растворы CaMoO$_4$–NaGd(MoO$_4$)$_2$: моделирование свойств и локальной структуры методом межатомных потенциалов
Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1741–1750
-
Энергия образования собственных дефектов и их кластеров в повеллите CaMoO$_4$
Физика твердого тела, 64:10 (2022), 1452–1458
-
Влияние неконтролируемых примесей на спектр поглощения лазерного кристалла NaGd(WO$_{4}$)$_{2}$
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2400–2404
-
Энергетическое обоснование образования димеров иттербия в монокристаллах форстерита
Физика твердого тела, 61:4 (2019), 737–740
-
Моделирование твердых растворов NaGd(MoO$_{4}$)$_{2}$–NaEu(MoO$_{4}$)$_{2}$ и Na$_{2}$Gd$_{4}$(MoO$_{4}$)$_{7}$–Na$_{2}$Eu$_{4}$(MoO$_{4}$)$_{7}$ методом межатомных потенциалов
Физика твердого тела, 61:4 (2019), 678–687
-
Димерная самоорганизация примесных ионов эрбия в синтетическом форстерите
Физика твердого тела, 61:2 (2019), 313–318
-
Спектроскопическое исследование сверхтонкой структуры уровней примесных ионов Но$^{3+}$ в синтетическом форстерите
Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 360–366
-
Одиночные центры и димеры примесных ионов гольмия в кристаллах синтетического форстерита: спектроскопия высокого разрешения
Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 32–38
-
Атомистическое моделирование натрий-гадолиниевого молибдата стехиометрического (Na$_{1/2}$Gd$_{1/2}$MoO$_{4}$) и катион-дефицитного (Na$_{2/7}$Gd$_{4/7}$MoO$_{4}$) составов
Физика твердого тела, 59:5 (2017), 847–858
-
Атомистическое моделирование сегнетоэлектрика-сегнетоэластика молибдата гадолиния
Физика твердого тела, 59:5 (2017), 841–846
-
Димерная самоорганизация примесных ионов иттербия в монокристаллах синтетического форстерита
Письма в ЖЭТФ, 106:2 (2017), 78–83
-
Эффекты спиновой динамики в субмиллиметровой ЭПР-спектроскопии примесных ионов тулия в синтетическом форстерите
Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 91–96
-
Кластерные центры в лазерных кристаллах форстерита Mg$_2$SiO$_4$ : Cr и Mg$_2$SiO$_4$ : Cr : Li
Физика твердого тела, 56:7 (2014), 1327–1337
-
Исследование методом ЭПР влияния ионизирующего облучения на центры хрома в лазерных кристаллах Mg$_2$SiO$_4$ : Cr, Li
Физика твердого тела, 55:9 (2013), 1778–1783
-
ЭПР-исследования влияния парциального давления кислорода в атмосфере роста на концентрацию центров хрома в синтетическом форстерите
Физика твердого тела, 55:3 (2013), 471–478
-
Спектроскопические и генерационные характеристики кристаллов $\mathrm{NaLaGd}$ двойных вольфраматов и молибдатов, активированных ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$, $\mathrm{Tm}^{3+}$
Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 155:1 (2013), 131–142
-
Моделирование структуры дырочных центров кислорода в кристаллах форстерита Mg$_2$SiO$_4$ и Mg$_2$SiO$_4$ : Cr методом межатомных потенциалов
Физика твердого тела, 54:8 (2012), 1515–1522
-
Взаимодействие примесных и собственных дефектов в форстерите и его роль в формировании спектрально-люминесцентных свойств
Физика твердого тела, 53:11 (2011), 2118–2128
-
Наблюдение электрического квадрупольного спинового резонанса примесных ионов Ho$^{3+}$ в синтетическом форстерите
Письма в ЖЭТФ, 93:5 (2011), 312–316
-
Перестраиваемая квазинепрерывная двухмикронная лазерная генерация с диодной накачкой на кристаллах смешанных натрий-лантан-гадолиниевых молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Tm3+
Квантовая электроника, 40:10 (2010), 847–850
-
Некритичный к температурному дрейфу длины волны излучения диода накачки лазер на кристалле NaLa(MoO4)2:Nd, работающий в непрерывном режиме или режиме модуляции добротности
Квантовая электроника, 40:6 (2010), 475–478
-
Генерация двухмикронного лазерного излучения в кристаллах NaLa1/2Gd1/2(WO4)2, активированных ионами Tm3+
Квантовая электроника, 40:2 (2010), 101–102
-
Генерационные свойства кристаллов натрий-гадолиниевого вольфрамата NaGd(WO4)2, активированных ионами Tm3+
Квантовая электроника, 36:6 (2006), 515–516
-
Лазер на кристаллах NaLa(MoO4)2:Nd3+ (λ = 1.06 мкм) с продольной диодной накачкой без стабилизации ее длины волны
Квантовая электроника, 36:1 (2006), 39–40
-
Наблюдение квазидиффузионного распространения фононов в $\mathrm{Mg_2SiO_4:\mathrm{Ho^{3+}}}$ методом время-разрешенной фото-фононной спектроскопии
Письма в ЖЭТФ, 82:3 (2005), 149–153
-
Импульсная и непрерывная генерация на новом лазерном кристалле Cr3+ : Li : Mg2SiO4
Квантовая электроника, 34:8 (2004), 693–694
-
Молекулярная самоорганизация примесных ионов Но$^{3+}$ в синтетическом форстерите
Письма в ЖЭТФ, 77:11 (2003), 753–758
-
Спектрально-люминесцентные свойства сильнолегированных хромом монокристаллов форстерита. II. Люминесценция
Квантовая электроника, 33:3 (2003), 197–200
-
Спектрально-люминесцентные свойства сильнолегированных хромом монокристаллов форстерита. I. Спектры поглощения
Квантовая электроника, 33:3 (2003), 192–196
-
Спектроскопия ионов V4+ и V3+ в кристалле форстерита
Квантовая электроника, 30:5 (2000), 449–453
-
Ионы Cr4+ – новый эффективный сенсибилизатор для лазерных материалов на длины волн 1.5–3 мкм, активированных ионами Er3+, Tm3+, Ho3+, Dy3+
Квантовая электроника, 21:11 (1994), 1035–1037
-
Теплопроводность соактивированных хромом гадолиний$-$скандий$-$алюминиевых гранатов
Физика твердого тела, 34:3 (1992), 779–783
-
Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr3+, Тm3+, Но3+ и ГСАГ:Сr3+, Тm3+, Но3+
Квантовая электроника, 18:2 (1991), 166–169
-
Распределение хрома в редкоземельных скандиевых гранатах
Письма в ЖТФ, 16:2 (1990), 33–36
-
Лазер двухмикрометрового диапазона на кристалле ИСГГ:Cr3+, Tm3+
Квантовая электроника, 17:7 (1990), 861–863
-
Влияние фототропных центров на эффективность энергосъема в ИСГГ:Cr, Nd
Квантовая электроника, 17:6 (1990), 723–724
-
Особенности электронного строения гадолиний-скандий-галлиевого граната
Докл. АН СССР, 308:5 (1989), 1115–1118
-
Радиационная стойкость редкоземельных скандий-алюминиевых гранатов
Докл. АН СССР, 305:3 (1989), 581–583
-
Упругие и фотоупругие свойства иттрий-скандий-галлиевого граната
Физика твердого тела, 31:2 (1989), 217–219
-
Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr3+–Tm3+–Ho3+, работающий при комнатной температуре
Квантовая электроника, 16:11 (1989), 2176–2179
-
Лазеры на ИСГГ:Cr, Nd, ИЛФ:Nd и ИАГ:Nd как задающие генераторы для усилителя на фосфатном стекле
Квантовая электроника, 16:6 (1989), 1140–1142
-
Генерация гигантского импульса в моде TEM00 (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой
Квантовая электроника, 16:4 (1989), 672–673
-
Мощный лазер на гадолиний–скандий–алюминиевом гранате, активированном хромом и неодимом с автомодуляцией добротности
Квантовая электроника, 16:3 (1989), 474–477
-
Лазер на ИСГГ: Cr3+, Nd3+ с волноводным активным элементом
Квантовая электроника, 16:1 (1989), 28–31
-
Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристаллах гадолиний-скандий-алюминиевого граната
Докл. АН СССР, 299:6 (1988), 1371–1373
-
Автокомпенсация термооптических неоднородностей в импульсно-периодических твердотельных лазерах на основе оптически плотных активных сред
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2323–2328
-
Лазер на гадолиний-скандий-алюминиевом гранате с хромом и неодимом
Квантовая электроника, 15:9 (1988), 1760–1761
-
Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности
Квантовая электроника, 15:5 (1988), 960–961
-
ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 3,6 %, энергией линейно поляризованного излучения в моноимпульсе 0,46 Дж и
частотой повторения импульсов 50 Гц
Квантовая электроника, 15:1 (1988), 67–69
-
Акустооптическая модуляция излучения ГСГГ-$\mathrm{Cr}$-$\mathrm{Nd}$-лазера, работающего при высоких энергиях накачки
Докл. АН СССР, 296:2 (1987), 335–337
-
Кристаллы иттрий-скандий-алюминиевого граната с хромом и неодимом как материал для активных сред твердотельных лазеров
Докл. АН СССР, 295:5 (1987), 1098–1101
-
ИСГГ:Cr3+, Nd3+ – новая эффективная среда для импульсных твердотельных лазеров
Квантовая электроника, 14:8 (1987), 1651–1652
-
Эффективный лазер (λ = 2,088 мкм) на иттрий-скандий-галлиевом гранате с ионами хрома, тулия и гольмия при комнатной температуре
Квантовая электроника, 14:5 (1987), 922–923
-
Лазер на ГСГГ:Cr, Nd с эффективной накачкой и модуляцией добротности
Квантовая электроника, 14:5 (1987), 916–917
-
Короткоживущее поглощение в возбужденных кристаллах ГСГГ:Cr–Nd
Квантовая электроника, 14:4 (1987), 836–837
-
Синхронизация мод неодимового лазера с затвором из гадолиний-скандий-галлиевого граната
Квантовая электроника, 14:2 (1987), 423–424
-
О профиле концентрации примеси перед поверхностью растущего кристалла
Докл. АН СССР, 289:4 (1986), 872–875
-
Акустооптические свойства редкоземельных галлиевых гранатов
Письма в ЖТФ, 12:23 (1986), 1409–1411
-
ГСГГ–Cr, Nd-лазер с призменным резонатором и поляризационным выводом излучения
Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2349–2350
-
Применение кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фотохромными центрами в качестве активных элементов твердотельных лазеров
Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2347–2348
-
Генерация ионов гольмия на переходе5I7→5I8 при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2127–2129
-
Оптимизация условий съема запасенной энергии в режиме модулированной добротности для активных элементов ГСГГ:Cr, Nd
Квантовая электроника, 13:5 (1986), 1048–1050
-
Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
Квантовая электроника, 13:5 (1986), 973–979
-
Пикосекундный лазер на кристалле ГСГГ:Cr, Nd
Квантовая электроника, 13:3 (1986), 655–656
-
Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr3+, Nd3+
Квантовая электроника, 13:2 (1986), 412–414
-
Кристаллы скандий-галлиевых гранатов с хромом как активные среды лазеров на ИК переходах Ho3+ и Tm3+
Квантовая электроника, 13:1 (1986), 216–219
-
Лазерный спектроанализатор на основе кристалла ГСГГ:$\mathrm{Cr}^{3+}$
Докл. АН СССР, 285:1 (1985), 92–95
-
Влияние ионов хрома на образование центров окраски в кристаллах со структурой граната
Докл. АН СССР, 282:5 (1985), 1104–1106
-
Усиление моноимпульсов кристаллом ГСГГ – Cr3+, Nd3+
Квантовая электроника, 12:11 (1985), 2198–2199
-
О лазерной прочности активных элементов из гадолиний-скандий-галлиевого граната
Квантовая электроника, 12:2 (1985), 430–432
-
Упругие, фотоупругие и теплофизические характеристики гадолиний-скандий-галлиевого граната
Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1517–1519
-
Исследование новой активной среды лазера – кристалла гадолиний – скандий – галлиевого граната, активированного хромом и неодимом
Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1565–1574
-
Новые возможности Cr3+ как активатора рабочих сред твердотельных лазеров
Квантовая электроника, 11:3 (1984), 487–492
-
Измерение упругих и фотоупругих констант в гранате $\{$La$_{2}$Nd$_{0.3}$Lu$_{0.7}\}$Lu$_{2}$Ga$_{3}$O$_{12}$
Физика твердого тела, 25:4 (1983), 986–991
-
Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме
Квантовая электроника, 10:10 (1983), 1961–1963
-
Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1916–1919
-
Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома
Квантовая электроника, 10:1 (1983), 140–144
-
Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой
Квантовая электроника, 9:12 (1982), 2531–2533
-
Абсолютный квантовый выход люминесценции ионов Cr3+ в кристаллах гадолиний-галлиевого и гадолиний-скандий-галлиевого гранатов
Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1740–1741
-
Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd3Ga5O12
Квантовая электроника, 9:3 (1982), 568–573
-
Безызлучательные потери на переходе 4I11/2–4I13/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Gd3Sc2Al3O12, Y3Ga5O12, Gd3Ga5O12, CaF2
Квантовая электроника, 5:5 (1978), 1028–1033
-
Сечение лазерного перехода 4I11/2 – 4I13/2 иона Er3+ в кристалле иттрий-эрбий-алюминиевого граната
Квантовая электроника, 4:1 (1977), 198–201
-
Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов
Квантовая электроника, 3:3 (1976), 589–594
-
Индуцированное излучение ионов Er3+ в кристаллах иттрий-алюминиевого граната на длине волны 2,94 мкм
Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1867–1869
-
Памяти Вячеслава Васильевича Осико (28 марта 1932 г. – 15 ноября 2019 г.)
Квантовая электроника, 50:1 (2020), 94
-
Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)
УФН, 162:4 (1992), 165–167
-
Вячеслав Васильевич Осико (к пятидесятилетию со дня рождения)
Квантовая электроника, 9:5 (1982), 1072
© , 2026