Мусатов Алексей Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Частотные характеристики автоэлектронной эмиссии из длинных углеродных нанонитей/нанотрубок в присутствии слабого переменного электрического поля
   
   Физика твердого тела, 58:5 (2016),  987–990
2. Излучение света длинными углеродными нанонитями/нанотрубками при автоэлектронной эмиссии
   
   Физика твердого тела, 58:1 (2016),  191–195
3. Влияние атомов цезия на автоэлектронную эмиссию из многостенных углеродных нанотрубок
   
   Физика твердого тела, 56:4 (2014),  806–810
4. Автоэлектронная эмиссия из углеродных нанотрубок в присутствии слабого высокочастотного электрического поля
   
   Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  250–254
5. Автоэлектронная эмиссия из одностенных углеродных нанотрубок с нанесенными на них атомами цезия
   
   Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1428–1432
6. Низковольтная нестационарная электронная эмиссия из одностенных углеродных нанотрубок – экзоэлектронная эмиссия
   
   Письма в ЖЭТФ, 82:1 (2005),  52–54
7. Спектры поверхностной фотоэдс $p$-InP (100) с субмоноатомными слоями меди
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  124–128
8. Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs$-$InP$-$Ag
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1523–1530
9. Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки $p$-InGaAs$-$Ag
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1313–1317
10. Поверхностные состояния фосфида индия, определяющие формирование барьера Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2056–2059
11. Исследование потерь энергии горячими электронами в фосфиде индия эмиссионным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  994–1001
12. Приповерхностный изгиб зон в GaAs с отрицательным электронным сродством
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  330–332