Калинушкин Виктор Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние процедуры легирования железом CVD-ZnSe с помощью высокотемпературной диффузии на состав и пространственное распределение примесно-дефектных центров
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  695–702
2. Люминесцентные характеристики легированного хромом с помощью высокотемпературной диффузии CVD–ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  476–483
3. Особенности концентрационного тушения люминесценции Fe²⁺ в монокристалле ZnSe
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  395–400
4. Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD–ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  85–96
5. Исследование пространственного распределения люминесценции в диапазоне 0.44–0.75 мкм CVD-ZnSe, легированного алюминием и железом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  410–419
6. Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe$^{2+}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020),  1710–1716
7. Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  48–54
8. Кинетика затухания люминесценции примесных центров Fe²⁺ в поликристаллическом кристалле ZnSe при возбуждении электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 50:8 (2020),  730–733
9. Катодолюминесценция ZnSe : Fe в средней инфракрасной области спектра
   
   Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019),  122–125
10. Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  5–12
11. Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe²⁺ в ZnSe
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1175–1177
12. Нелинейное пропускание поликристалла ZnSe : Fe²⁺, легированного диффузионным методом, на длине волны 2940 нм при низкой и комнатной температурах
    
    Квантовая электроника, 47:2 (2017),  111–115
13. Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для томографии времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:11 (2016),  774–779
14. Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования объемных характеристик полупроводниковых материалов
    
    ЖТФ, 86:12 (2016),  119–123
15. ИК люминесценция монокристаллов ZnSe:Fe²⁺ при возбуждении электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 46:6 (2016),  545–547
16. Лазер на кристалле ZnSe:Fe²⁺ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 44:2 (2014),  141–144
17. ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами
    
    Физика твердого тела, 55:2 (2013),  234–242
18. Поглощение терагерцового излучения в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:12 (2010),  877–883
19. Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe²⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  95–96
20. Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  798–806
21. Диэлектрические свойства компенсированного фосфида индия в диапазоне субмиллиметровых волн
    
    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1530–1532
22. Субмиллиметровые свойства ($10^{11}{-}10^{12}$ Гц) низкоомных фосфида индия и арсенида галлия
    
    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1368–1373
23. Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  264–270
24. Диэлектрические свойства кремния, германия и арсенида галлия в диапазоне субмиллиметровых волн
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  101–106
25. Примесная кислородная мода в субмиллиметровых спектрах монокристаллического кремния
    
    Физика твердого тела, 31:7 (1989),  262–264
26. Влияние быстродиффундирующих примесей на малоугловое рассеяние света в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1308–1311
27. Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1112–1114
28. Низкотемпературная релаксация рассеяния света в кремнии
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  728–733
29. Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2125–2129
30. Определение параметров точечных центров, образующих «слабые» примесные скопления в полупроводниковых материалах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1364–1368
31. Применение зондирующего излучения с двумя длинами волн для определения природы рассеивающих неоднородностей в полупроводниковых кристаллах
    
    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  129–133
32. Температура образования кислородных облаков в германии
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1331–1333
33. Взаимодействие золота с примесными облаками в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1902–1904
34. Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  810–813
35. Поглощение лазерного излучения $10{,}6$ мкм в электронно-дырочном конденсате в германии
    
    Докл. АН СССР, 279:1 (1984),  88–90
36. Характер электрической активности центров, образующих примесные облака в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2222–2224
37. Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1363–1366
38. Температурная зависимость малоуглового рассеяния света кристаллами чистого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  938–940
39. Примесные облака и микродефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2137–2142
40. Источники образования примесных облаков в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  683–685